Особливості росту напівпровідникових плівок халькогенідів

Abstract

Об’єктом дослідження дипломної роботи є фізичні основи керування структурно чутливими оптичними характеристиками приладових структур, придатних для використання у оптоелектроніці та геліоенергетиці. Мета роботи полягає у аналізі нових матеріалів для оптоелектроніки та геліоенергетики, які є придатними для використання в якості базових напівпровідникових шарів фотоперетворювачів високої ефективності. При виконанні роботи використовувались сучасні літературні джерела з даної тематики. У першому розділі був проведений літературний аналіз сучасних джерел, за яким був обраний подальший напрям дослідження з даного питання. У другому розділі були описані нові матеріали сонячної енергетики, придатні для використання в якості поглинальних та фотокондуктивних шарів фотоперетворювачів, проведений аналіз їх основних фізико-технічних характеристик. За результатами проведеної роботи зроблені відповідні висновки.