Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88401
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | CMOS Cascode Low Noise Amplifier (CCLNA) Design for Nanosensor Applications |
Other Titles |
Конструкція підсилювача з низьким рівнем шуму CMOS Cascode Low Noise Amplifier (CCLNA) для наносенсорних додатків |
Authors |
Suganthi, K.
Malarvizhi, S. Dutta, Ritam |
ORCID | |
Keywords |
CCLNA VSWR RADAR підсилення перетворення CMOS-дизайн наносенсор наноматеріали conversion gain CMOS design nanosensing nanomaterials |
Type | Article |
Date of Issue | 2022 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88401 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | K. Suganthi, S. Malarvizhi, Ritam Dutta, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 3, 03020 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(3).03020 |
Abstract |
Запропоновано схему підсилювача з низьким рівнем шуму Cascode Low Noise Amplifier (CCLNA)
із використанням стандартної технології CMOS 0,18 мкм міліметрової хвилі (ммВт). Пропонована
схема CMOS CCLNA досягла максимального підсилення перетворення 17,4 дБ, NF в дБ і потужності
22,3 мВт в діапазоні mmW Ka. Вхідні та вихідні коефіцієнти відбиття добре узгоджені з менш ніж
– 10 дБ на частоті діапазону Ka з гарним коефіцієнтом стоячої хвилі за напругою (VSWR). Коефіцієнт
зворотної передачі S12 менше – 12 дБ, що вказує на те, що підсилювач LNA має покращену ізоляцію
між входом і виходом, коефіцієнт стабільності більше одиниці для реалізації підсилювача. Конструкція CCLNA на основі SoC для дослідження рівня схеми з аналітичними рівняннями також довела, що
результати моделювання схожі зі схемою, придатною для додатків наноелектроніки з вихідною потужністю 2 дБм, частотою переходу (fT) 64 ГГц і максимальною робочою частотою (fmax) 96 ГГц, що свідчить про ефективність запропонованого методу, придатного для наносенсорних додатків. Обґрунтування ефективності моделювання RADAR (Radio Detection and Ranging) підтверджує, що приймач,
розроблений із запропонованим підсилювачем LNA, підходить для конструкції приймача на високих
mmW частотах. A design of Cascode Low Noise Amplifier (CCLNA) circuit is proposed using standard 0.18 µm millimeter wave (mmW) CMOS technology. The proposed CMOS CCLNA circuit has achieved a maximum conversion gain of 17.4 dB, NF of dB and a power of 22.3 mW at mmW Ka band. The input and output reflection coefficients are well matched with less than – 10 dB at the Ka band frequency with good Voltage Standing Wave Ratio (VSWR). The reverse transmission coefficient S12 is less than – 12 dB, indicating that the LNA has improved isolation between input and output, the stability factor is greater than one for the amplifier realization. The SoC-based CCLNA design for circuit level examination with analytical equations also proved that the simulation outcomes were prone to the design suitable for nanoelectronic applications for an output power of 2 dBm, transition frequency (fT) of 64 GHz and maximum operation frequency (fmax) of 96 GHz, which significantly shows the efficiency of the proposed method suitable for nanosensor applications. The justification of Radio Detection and Ranging (RADAR) front end simulation performance validates that the receiver designed with proposed LNA is suitable for the receiver design at high mmW frequencies. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

1

1

1

1

154162779

1704851

934

213110

1

13213198

213107

1

13213200

213105

491224581

1348336306
Downloads

1

9943265

38787167

67631070

1

491224583

38787168

1704852

1

1

1

9943265

1

308271728

1

9457

96474971

491224587

1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Suganthi_jnep_3_2022.pdf | 469.83 kB | Adobe PDF | 1554002121 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.