Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88480
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Oxidation of the n-GaAs Surface: Morphological and Kinetic Analysis
Other Titles Oксидування поверхні n-GaAs: морфологічний та кінетичний аналіз
Authors Suchikova, Y.O.
Kovachov, S.S.
Lazarenko, A.S.
Bardus, I.O.
Tikhovod, K.
Hurenko, O.I.
Bohdanov, I.T.
ORCID
Keywords GaAs
оксидування
фладе-потенціал
цільність
щкруглість
механізм Странського-Крастанова
механізм пошарового-плюс-острівкового зростання
oxidation
flade potential
solidity
round
Stranski-Krastanov mechanism
layerplus-island growth
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88480
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Y.O. Suchikova, S.S. Kovachov, A.S. Lazarenko, et al., J. Nano- Electron. Phys. 14 No 3, 03033 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(3).03033
Abstract Ми досліджуємо процеси направленого оксидування поверхні n-GaAs, які відбуваються в результаті електрохімічної обробки напівпровідника в водно-спиртовому розчині соляної кислоти. Аналіз вольт-амперних характеристик проведено з метою дослідження кінетики процесу, це дало змогу встановити етапи утворення оксидної плівки та острівців. Морфологія поверхні оцінена за характеристиками площі, лінійних розмірів, цільності (Solidity) та округлості (Round) острівців. Показано, що оксидування відбувається за механізмом Странського-Крастанова. Дослідження формування власних оксидів на поверхні GaAs є вкрай важливим, адже, оксиди можуть істотно впливати на властивості матеріалу. Власні оксиди напівпровідників є пасивуючою плівкою, яка надійно захищає поверхню від дії навколишнього середовища та при взаємодії з агресивними речовинами. Крім того, власні оксиди GaAs проявляють напівпровідникові властивості, що дозволяє створювати гетероструктури оксид/ GaAs з гетеропереходами для оптоелектронних застосувань.
We study the directed oxidation processes of the n-GaAs surface as a result of the electrochemical treatment of a semiconductor in an aqueous-alcoholic solution of hydrochloric acid. The analysis of the voltampere characteristics was carried out in order to study the process kinetics, this made it possible to establish the formation stages of the oxide film and islands. The surface morphology was estimated according to the area characteristics, linear sizes, Solidity and Round islands. It was shown that the oxidation occurs by the Stranski-Krastanov mechanism. The formation study of own oxides on the GaAs surface is extremely important, because oxides can significantly impact the material properties. The native oxides of semiconductors are an inactive film that reliably protects the surface from environmental action and when interacting with aggressive substances. In addition, the native oxides of GaAs exhibit semiconductor properties that allow to create oxide/GaAs heterostructures with heterojunctions for optoelectronic applications.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
1
Finland Finland
1
France France
12953
Germany Germany
702160
Ireland Ireland
646
Latvia Latvia
1
Netherlands Netherlands
1
Singapore Singapore
8925989
South Korea South Korea
12952
Taiwan Taiwan
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
224120
United Kingdom United Kingdom
75139
United States United States
27805951
Unknown Country Unknown Country
37759918

Downloads

China China
1
India India
1
Ireland Ireland
647
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
27805949
United States United States
17851978

Files

File Size Format Downloads
Suchikova_jnep_3_2022.pdf 557.9 kB Adobe PDF 45658578

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.