Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89192
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Annealing Effect on the Physical Properties of Chemically Prepared Cu2 – xSe Films
Other Titles Вплив відпалу на фізичні властивості хімічно виготовлених плівок Cu2 – xSe
Authors Gosavi, S.R.
ORCID
Keywords тонкі плівки
відпал
рентгенівська дифракція
атомно-силова мікроскопія
УФ-спектри поглинання
thin films
annealing
x-ray diffraction
atomic force microscopy
UV absorption spectra
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89192
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation S.R. Gosavi, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 4, 04019 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04019
Abstract У роботі тонкі плівки селеніду міді (Cu2-xSe) були виготовлені на підкладці з аморфного скла методом хімічного осадження у ванні (CBD) при кімнатній температурі. Тонкі плівки Cu2-xSe були додатково відпалені при 473 К, і ми повідомляєм про вплив відпалу на фізичні властивості тонких плівок Cu2-xSe. Структурні властивості осаджених і відпалених плівок досліджували за допомогою рентгенівської дифракції (XRD), і XRD-аналіз показав, що обидві плівки є полікристалічними за своєю природою, мають кубічну структуру з переважною орієнтацією (1 1 1). Крім того, було помічено, що кристалічність плівок зросла після відпалу. Дослідження скануючої електронної мікроскопії (SEM) підтвердило, що відпал відіграє значну роль у природі морфології поверхні тонкої плівки Cu2-xSe. Топографічне дослідження поверхні було проведено за допомогою атомно-силової мікроскопії (AFM), яке вказує на те, що поверхня стає більш гладкою після відпалу. Дослідження оптичних властивостей за спектрами поглинання показало, що поглинання у видимій області збільшується після відпалу, що призводить до зменшення забороненої зони з 2,30 до 2,25 еВ. Питомий електричний опір хімічно виготовлених тонких плівок Cu2-xSe становить приблизно 19,32×10 – 4 Ом·см, який ще більше зменшується після відпалу.
In the present work, copper selenide (Cu2 – xSe) thin films were prepared on amorphous glass substrate by chemical bath deposition (CBD) method at room temperature. Cu2 – xSe thin films were further annealed at 473 K, and the effect of annealing on the physical properties of Cu2 – xSe thin films is reported. The structural properties of as-deposited and annealed films were studied by X-ray diffraction (XRD), and XRD analysis revealed that both films are polycrystalline in nature, possessing a cubic structure with (111) preferential orientation. Also, it was observed that the crystallinity of the films increased after annealing. Scanning electron microscopy (SEM) study confirmed that annealing plays a significant role in the nature of the surface morphology of Cu2 – xSe thin film. A surface topographic study was carried out by atomic force microscopy (AFM), which indicates that the surface becomes smoother after annealing. A study of the optical properties from the absorbance spectra revealed that the absorbance in the visible region increases after annealing, resulting in a decrease in the band gap from 2.30 to 2.25 eV. The electrical resistivity of chemically prepared Cu2 – xSe thin films is about 19.32 × 10 – 4 Ω.cm, which further decreases after annealing.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
China China
1
Germany Germany
9421
India India
814
Ireland Ireland
2397
Japan Japan
1
Mexico Mexico
421961
Singapore Singapore
1
South Africa South Africa
46948
Turkey Turkey
1197
Ukraine Ukraine
140673
United Kingdom United Kingdom
46945
United States United States
4088044
Unknown Country Unknown Country
9657483

Downloads

China China
3277013
France France
1
Germany Germany
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
843922
Ireland Ireland
2396
Japan Japan
1
South Africa South Africa
1
South Korea South Korea
1
Turkey Turkey
1198
Ukraine Ukraine
421960
United States United States
4899080
Unknown Country Unknown Country
4899078

Files

File Size Format Downloads
Gosavi_jnep_4_2022.pdf 648.14 kB Adobe PDF 14344653

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.