Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89809
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title The Effect of Temperature and Base Thickness on Photoelectric Parameters of Amorphous Silicon Solar Cells
Other Titles Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію
Authors Gulomov, J.
Ziyoitdinov, J.
Gulomova, I.
ORCID
Keywords аморфний кремній
моделювання
сонячний елемент
чисельний метод
товщина
температура
amorphous silicon
simulation
solar cell
numerical method
thickness
temperature
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89809
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation J. Gulomov, J. Ziyoitdinov, I. Gulomova, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 5, 05010 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05010
Abstract Одним із важливих завдань фотовольтаїки є конструювання гнучких сонячних елементів, стійких до впливу навколишнього середовища та призначених для покриття поверхонь різної форми. Таким чином, у дослідженні були вивчені сонячні елементи на основі аморфного кремнію. Аморфний кремній має більший коефіцієнт поглинання та ширину забороненої зони, ніж кристалічний кремній. Високий коефіцієнт поглинання доводить, що в тонких плівках можна досягти високого ККД. Згідно з отриманими результатами моделювання, максимальні значення напруги холостого ходу, струму короткого замикання, коефіцієнта заповнення та ККД сонячного елемента на основі аморфного кремнію становили 1,2044 В; 13,49 мА/см2; 80,03 % та 12,18 % відповідно, і були досягнуті при товщинах основи 35, 20, 3 і 15 мкм відповідно. Було вивчено вплив температури на сонячний елемент на основі аморфного кремнію оптимальної товщини, оскільки аморфний кремній дуже чутливий до зовнішніх впливів, таких як інтенсивність світла та температура. Тому важливо вивчити вплив температури на властивості сонячних елементів на основі аморфного кремнію. З підвищенням температури напруга холостого ходу зменшувалася, але струм короткого замикання, коефіцієнт заповнення та ККД збільшувалися. Температурні коефіцієнти напруги холостого ходу, струму короткого замикання, коефіцієнта заповнення та ККД становлять відповідно − 1,68×10 – 3; 2,24×10 – 3; 4,5×10 – 5 та 2,27×10 – 4 1/K.
One of the important tasks of photovoltaics is the design of flexible solar cells that are resistant to environmental influences and designed to cover surfaces of various shapes. Therefore, pin-structured amorphous silicon-based solar cells with flexible properties were studied in this study. Amorphous silicon has a higher absorption coefficient and band gap than crystalline silicon. A high absorption coefficient proves that a high efficiency can be achieved in thin films. According to the obtained simulation results, the maximum values of the open circuit voltage, short-circuit current, fill factor and efficiency of the amorphous silicon-based solar cell were 1.2044 V, 13.49 mA/cm2, 80.03 % and 12.18 %, respectively, as well as achieved them at a base thickness of 35, 20, 3 and 15 µm, respectively. The effect of temperature on an amorphous silicon-based solar cell with optimal thickness was studied because amorphous silicon is very sensitive to external influences such as light intensity and temperature. Therefore, it is important to study the effect of temperature on the properties of amorphous silicon-based solar cells. As the temperature increased, the open circuit voltage decreased, but the short-circuit current, fill factor, and efficiency increased. It was found that the temperature coefficients of open circuit voltage, short circuit current, fill factor and efficiency are − 1.68×10 – 3, 2.24×10 – 3, 4.5×10 – 5 and 2.27×10 – 4 1/K, respectively.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
1
Australia Australia
1
Austria Austria
1
Belgium Belgium
1
Germany Germany
11774
Ireland Ireland
252
Nigeria Nigeria
504
Pakistan Pakistan
1010
Russia Russia
23
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
2913860
United Kingdom United Kingdom
2913857
United States United States
14271649
Unknown Country Unknown Country
20401610
Uzbekistan Uzbekistan
1

Downloads

China China
1
France France
14271650
Ireland Ireland
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
2913861
United States United States
14271648
Unknown Country Unknown Country
20401611

Files

File Size Format Downloads
Gulomov_jnep_5_2022.pdf 249.46 kB Adobe PDF 51858773

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.