Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89832
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Technological Features of Real Contact Systems’ Production for Nanosystem Equipment |
Other Titles |
Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки |
Authors |
Nikonova, A.A.
Nebesniuk, O.Y. Nikonova, Z.A. |
ORCID | |
Keywords |
технологія контактні системи фотоелектричні перетворювачі кремнієві структури гетеропереходи параметри характеристики technology contact system photoelectric converters silicon structures heterojunctions parameters characteristics |
Type | Article |
Date of Issue | 2022 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89832 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | A.A. Nikonova, O.Y. Nebesniuk, Z.A. Nikonova, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 5, 05014 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05014 |
Abstract |
У статті розглянуті шляхи підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів за рахунок
застосування гетероструктур SnO2 | Zn2O3 – SiOx – nSi – n+Si і опрацювання технології виробництва
контактних систем. Емпірично досліджено фізичні процеси, що відбуваються в гетероструктурах, проведено аналіз методологій та режимів їх отримання. Розглянуто значні переваги фотоелектричних перетворювачів на основі представлених структур в порівнянні із закордонними аналогами. Авторами
запропонована альтернативна технологія створення контактних систем до гетероструктур і експериментально доведено, що відпалені контактні системи мають переваги, в першу чергу, з точки зору зниження числа технологічних операцій і до цього часу являються актуальними. Використання такої композиції дозволило знизити температуру відпалу, що привело до покращення морфології отриманих контактних систем у порівнянні з традиційними. Доведено, що застосування таких контактних систем
дозволить підвищити ефективність фотоелектричних приладів за рахунок простоти технологічного процесу і дешевих матеріалів, що приведе до зниження собівартості виробу. In the article, the ways of increasing the efficiency of photoelectric transducers due to the application of SnO2 | Zn2O3 – SiOx – nSi – n + Si heterostructures and elaboration of the technology of contact systems production are dwelt upon. Physical processes, taking place in heterostructures, are empirically examined, the methodology and modes of their production are analyzed. It is sustained, that photoelectric transducers, produced on the basis of such structures, have significant advantages in comparison with foreign analogues. The authors proposed an alternative technology for creating contact systems to heterostructures and experimentally proved that annealed contact systems have advantages, primarily in terms of reducing the number of technological operations and are still relevant. The use of such a composition allowed to reduce the annealing temperature, which led to improved morphology of the obtained contact systems compared to traditional ones. It is proved that the application of such contact systems will increase the efficiency of photoelectric appliances due to simplicity of technological process and cheap materials, that will lead to the reduction of cost price of the product. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
China
68190
Germany
1
Ireland
67
Mongolia
1
Russia
5
Singapore
1
South Korea
1
Ukraine
9877
United Kingdom
1913
United States
228787
Unknown Country
309088
Uzbekistan
243
Downloads
China
1
Czechia
1909
France
1
Ireland
1
Israel
1
Singapore
1
South Korea
9875
Ukraine
9878
United Kingdom
1912
United States
309090
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Nikonova_jnep_5_2022.pdf | 381.68 kB | Adobe PDF | 332669 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.