Electrical Conduction and Polarization Properties of InSe<CS(NH2)2<С14Н10>> Clathrate

Abstract

Інтеркаляційним методом сформовано під дією світла 2D структуру ієрархічної будови типу субгосподар<господар<гість>> – клатрат InSe<CS(NH2)2<С14Н10>>. В даному випадку як напівпровідникову 2D матрицю використано шаруватий монокристал InSe, тіосечовина (CS(NH2)2) виступала як супрамолекулярний кавітанд, а антрацен (С14Н10) – як фотоелектрет. Освітлення при синтезі використовувалося для фотоелектретизації антрацену. Методом імпедансної спектроскопії було досліджено електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe<CS(NH2)2<С14Н10>>. В результаті зафіксовано прояв фотоіндукованої квантової ємності, природа якої пов’язана із дискретизацією енергетичного спектру та скінченністю часів тунелювання. За результатами дослідження спектрів термостимульованого розряду встановлено, що клатрату InSe<CS(NH2)2<С14Н10>> властива релаксація гомозаряду та широкі смуги із квазінеперервним спектром локалізованих станів. Поведінка ВАХ свідчить про прояв фото-ЕРС величиною + 23,5 мВ.

InSe<CS(NH2)2<C14H10>> clathrate is a 2D hierarchical structure of the subhost<host<guest>> type obtained by the intercalation method under the influence of light. In this case, we used a layered InSe single crystal as a semiconductor 2D matrix, thiourea (CS(NH2)2) functioned as a supramolecular cavitand, and anthracene (C14H10) as a photoelectret. We used illumination during synthesis for the photoelectret polarization of anthracene. The impedance spectroscopy method was used to study the conductive and polarization properties of InSe<CS(NH2)2<C14H10>> clathrate. As a result, the manifestation of photoinduced quantum capacitance was recorded, the nature of which is associated with the discretization of the energy spectrum and finite tunneling times. The results obtained from the study of the thermally stimulated discharge spectra show that InSe<CS(NH2)2<C14H10>> clathrate is characterized by homo-charge relaxation and broad bands with a quasi-continuous spectrum of localized states. The behavior of the current-voltage characteristics indicates the manifestation of photocurrent with a value of + 23.5 mV.