Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89862
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Influence of the Surface Diffusion Length on the Roughness of Thin Layers Obtained by Random Deposition |
Other Titles |
Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням |
Authors |
Saoudi, A.
Aissani, L. Boulahrouz, S. Radjehi, L. Chahaoui, O. Mebarki, M. Djebaili, H. |
ORCID | |
Keywords |
поверхня росту шорсткість довжина дифузії кореляція коефіцієнти масштабування growth surface roughness diffusion length correlation scaling exponents |
Type | Article |
Date of Issue | 2022 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89862 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | A. Saoudi, L. Aissani, et al., J. Nano- Electron. Phys. 14 No 5, 05021 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05021 |
Abstract |
У роботі описано теоретичну модель з використанням програмного забезпечення MATLAB, яка
описує вплив довжини поверхневої дифузії D на топографію та динаміку росту тонких шарів, отриманих шляхом випадкового осадження. Одержані результати показують, що поверхня інтерфейсу стає
більш гладкою при більшій довжині дифузії D. Для D > 0 показник росту β змінюється відповідно до
двох різних режимів, β1 = 0,5 представляє повністю випадковий режим росту, а показник β2 представляє режим дифузії частинок у напрямку до пустот, β2 зменшується зі збільшенням D. Шорсткість інтерфейсу ніколи не насичується при нульовій довжині дифузії, тоді як показник шорсткості приймає
нижче значення приблизно α = 0,1450 при D = 4. Нарешті, коефіцієнти масштабування β, α та z безпосередньо залежать від довжини дифузії D і не пов'язані з розміром підкладки L. Отримані результати узгоджуються з іншими попередніми теоретичними та експериментальними роботами. This work identifies a theorical model using the MATLAB software that represents the effect of the surface diffusion length D on the topography and growth dynamics of thin layers obtained by random deposition. The obtained results show that the interface roughness becomes smoother at higher diffusion lengths D. For D > 0, the growth exponent β varies according to two distinct regimes, β1 = 0.5 presents a completely random growth regime and a constant β2 presents a diffusion regime of particles towards the hollows, which decreases with increasing D. The interface roughness will never saturate at zero diffusion length, while the roughness exponent takes a lower value of about α = 0.1450 at D = 4. Finally, the scaling exponents β, α and z directly depend on the diffusion length D and are not related to the substrate size L. The obtained results agree well with other previous theoretical and experimental works. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Algeria
14483023
Austria
19
Belgium
1
China
1
Iran
1
Ireland
841
Russia
20
Ukraine
2704994
United Kingdom
84099
United States
14483026
Unknown Country
31981435
Downloads
Algeria
14483024
China
1465202
France
14483022
India
84101
Ireland
1
South Korea
1
Ukraine
845303
United States
14483021
Unknown Country
63737461
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Saoudi_jnep_5_2022.pdf | 496.09 kB | Adobe PDF | 109581136 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.