Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89876
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Impact of Device Sizing on Electrical Properties of DG-SOI-MOSFET Using Octave Software |
Other Titles |
Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave |
Authors |
Djerioui, M.
Hebali, M. Abboun, A.M. |
ORCID | |
Keywords |
симетричний DG-SOI-MOSFET електрична характеристика провідність мініатюризація чисельний метод symmetrical DG-SOI-MOSFET electrical characteristic conductance miniaturization numerical method |
Type | Article |
Date of Issue | 2022 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89876 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | M. Djerioui, M. Hebali, M. Abboun Abid, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 5, 05025 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05025 |
Abstract |
Пристрій SOI-MOSFET із подвійним затвором (DG) розглядається як наступне покоління схем
VLSI. У роботі ми показуємо вплив мініатюризації на попит та проблеми симетричної планарної
конструкції DG-SOI-MOSFET низької потужності та високої продуктивності. Застосовуючи графічний підхід, який використовувався раніше і складається з чисельного моделювання, дійсного для
всіх умов зсуву, від підпорогової до сильної інверсії та від лінійної до насичення, ми візуалізували
еволюцію характеристик передачі, а також вихідних і електричних характеристик і вихідної провідності шляхом зміни кожного з параметрів незалежно: товщини оксиду (tox), довжини (L) і ширини каналу (W). Отримані результати дозволили перевірити, як кожен параметр впливає на різні електричні властивості DG-SOI-MOSFET. Було виявлено, що L, W і tox значним чином впливають на зазначені властивості, а даний транзистор також включає ефекти модуляції довжини каналу (CLM) та індуковане стоком зниження бар'єру (DIBL). Це дослідження показало здатність
передбачити електричну поведінку DG-SOI-MOSFET за його геометричними розмірами та можливість вибору оптимальних розмірів для забезпечення високої продуктивності цього транзистора
як в аналогових, так і в цифрових схемах. Double-gate (DG) SOI-MOSFET device is regarded as the next generation of VLSI circuits. In this paper, we show the impact of miniaturization on the demand and challenges of the undoped-body symmetric DG-SOI-MOSFET planar design for low power and high performance. By exploiting the graphical approach used previously, which consists of numerical simulations valid for all bias conditions, from subthreshold to strong inversion and from linear to saturation operation, we visualized the evolution of the transfer, output and electrical characteristics and output conductance by varying each of the parameters independently: oxide thickness (tox), channel length (L) and channel width (W). The results obtained allowed to verify how each dimension affects different electrical properties of the DG-SOI-MOSFET. It was found that L, W and tox significantly influence these properties, as well as this transistor includes the channel length-modulation (CLM) and drain induced barrier lowering (DIBL) effects. This study showed the ability to predict the electrical behavior of the DG-SOI-MOSFET by its geometrical dimensions, and the possibility of choosing the optimal dimensions to ensure high performance of this transistor in both analog and digital circuits. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Algeria
32200213
Australia
1
Austria
60
Canada
859
Côte d’Ivoire
1
India
1236933
Indonesia
10263
Ireland
64932
Japan
1
Russia
202
Singapore
1
South Korea
1
Ukraine
2164635
United Kingdom
618468
United States
306187326
Unknown Country
717168005
Downloads
Algeria
6489936
Canada
1
China
169193768
Germany
1
India
1
Indonesia
1
Ireland
1722
Singapore
1
Taiwan
1
Ukraine
306187326
United Kingdom
1
United States
374684109
Unknown Country
374684107
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Djerioui_jnep_5_2022.pdf | 488.04 kB | Adobe PDF | 1231240975 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.