Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/90438
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Modeling the Abnormal Behavior of the 6H-SiC Schottky Diode Using Lambert W Function
Other Titles Моделювання анормальної поведінки діода Шотткі на основі 6H-SiC за допомогою функції Ламберта
Authors Abdelaziz, Rabehi
Abdelhalim, Rabehi
Abdelmalek, Douara
Hicham, Helal
Oussama, Baitiche
Boudali, Akkal
Mohammed, Amrani
Schahrazade, Tizi
Zineb, Benamara
ORCID
Keywords SiC
діоди Шотткі
функція Ламберта
неоднорідна висота бар'єру
електричні вимірювання
Schottky diodes
Lambert function
inhomogeneous barrier height
electrical measurement
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/90438
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Abdelaziz Rabehi, Abdelhalim Rabehi, et al., J. Nano- Electron. Phys. 14 No 6, 06032 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(6).06032
Abstract Проведено електричне дослідження Ni i Ti металевих контактів Шотткі на епітаксійних шарах n-6H-SiC методом вольт-амперної характеристики. Ni/6H-SiC демонструє неоднорідну поведінку висоти бар'єру. Модель термоелектронної емісії поєднується з функцією Ламберта, щоб отримати явну форму рівняння Шотткі, а також визначити кількість гілок, необхідних для моделювання аномальної поведінки. Неоднорідну висоту бар'єру для досліджуваного переходу Ni/6H-SiC можна відтворити за допомогою моделі, що включає дві гілки Шотткі, які дають низький (L) і високий (H) бар'єри Шотткі ( L ϕbn = 0,92 еВ; H ϕbn = 1,56 еВ), а також низький і високий коефіцієнти ідеальності (nL = 1,93; nH = 1,23).
Electrical study of Ni and Ti metals of Schottky contacts on n-6H-SiC epitaxial layers is performed, by current-voltage (I-V) characterization. Ni/6H-SiC shows inhomogeneous barrier height behavior. Thermionic emission model is coupled with the Lambert function to obtain an explicit form of the Schottky equation as well as to specify the number of branches necessary for modeling the abnormal behavior. The inhomogeneous barrier height for the investigated Ni/6H-SiC junction can be reproduced by a model that includes two Schottky branches, which give a low (L) and a high (H) Schottky barriers ( L ϕbn = 0.92 eV, H ϕbn = 1.56 eV), as well as give a low and a high ideality factors (nL = 1.93, nH = 1.23).
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
266548
Australia Australia
1
Belgium Belgium
1
China China
1
India India
1
Ireland Ireland
1
Italy Italy
1103
Japan Japan
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
3974
United Kingdom United Kingdom
1102
United States United States
224587
Unknown Country Unknown Country
1

Downloads

Algeria Algeria
14792
China China
182625
Germany Germany
662
Indonesia Indonesia
1
Japan Japan
266550
Romania Romania
1
Russia Russia
182626
Spain Spain
6
Ukraine Ukraine
7947
United Kingdom United Kingdom
658
United States United States
224589

Files

File Size Format Downloads
Abdelaziz_Rabehi_jnep_6_2022.pdf 615.64 kB Adobe PDF 880457

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.