Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/90445
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Simulation Study of CZTS/CZTSe Tandem Solar Cell by Using SCAPS-1D Software
Other Titles Моделювання тандемного сонячного елементу CZTS/CZTSe за допомогою програмного забезпечення SCAPS-1D
Authors Ghalmi, L.
Bensmaine, S.
Elbar, M.
Chala, S.
Merzouk, H.
ORCID
Keywords моделювання
SCAPS-1D
тандемний сонячний елемент CZTS/CZTSe
узгодження струму
відфільтрований спектр
simulation
CZTS/CZTSe tandem solar cell
current matching
filtered spectrum
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/90445
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Leila Ghalmi, Souhila Bensmaine, et al., J. Nano- Electron. Phys. 14 No 6, 06033 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(6).06033
Abstract Сонячний спектр може бути розділений тандемними сонячними елементами на кілька субелементів, які мають різні ширини забороненої зони і ефективніше перетворюють світло в електрику, ніж окремі елементи. У роботі моделювання фотоелектричних (PV) характеристик тандемного сонячного елементу CZTS/CZTSe на основі структур сульфіду міді-цинку-олова (CZTS) як верхнього елементу та селеніду міді-цинку-олова (CZTSe) як нижнього елементу було виконано за допомогою симулятора SCAPS-1D при освітленні AM1.5. Спочатку було виконано моделювання окремих сонячних елементів CZTS і CZTSe і отримано ефективність відповідно 14,37 % і 17,87 %, що добре узгоджується з наявними результатами. До подачі відфільтрованого спектру змодельовані PV параметри тандемного сонячного елементу CZTS/CZTSe мають ефективність перетворення (ƞ) 20,68 % і густину струму короткого замикання (Jsc) 20,205 мА/см2 для верхнього та нижнього елементів з довільною нормальною товщиною. Крім того, щоб досягти узгодження струму, як верхній, так і нижній елементи були досліджені при різній товщині тандемної конфігурації, коли товщини верхнього та нижнього елементів були відповідно в діапазонах 0,05-0,5 мкм і 0,1-1 мкм. Продуктивність тандемного сонячного елементу визначалася після подачі відфільтрованого спектру та узгодження струму. Значення Jsc тандемного сонячного елементу CZTS/CZTSe становить 20,33 мА/см2 для товщини 0,255 мкм верхнього, CZTS, елементу та товщини 0,8 мкм нижнього, CZTSe, елементу. Максимальний ƞ, рівний 22,98 %, досягається для конструкції тандемної структури з підвищенням напруги холостого ходу (Voc) на 1,48 В.
The solar spectrum can be divided by tandem solar cells into several subcells that have different bandgaps which convert, more effectively, the light into electricity than the single cells. In this study, the simulation of the photovoltaic (PV) characteristics of a CZTS/CZTSe tandem solar cell, based on structures of copper zinc tin sulfide (CZTS) as a top cell and copper zinc tin selenide (CZTSe) as a bottom cell, was accomplished by using SCAPS-1D simulator under AM1.5 illumination. Initially, the simulation of single CZTS and CZTSe solar cells was performed to give efficiency of 14.37 % and 17.87 %, respectively, which are in good agreement with the literature results. Before feeding with filtered spectrum, the simulated PV parameters of the CZTS/CZTSe tandem solar cell are the conversion efficiency (ƞ) of 20.68 % and the shortcircuit current density (Jsc) of 20.205 mA/cm2 of the top and bottom cells with arbitrary normal thicknesses. Furthermore, and in order to reach the matching current, both top and bottom cells have been investigated at different thicknesses for tandem configuration after validation, where the performance of the top and bottom cells is at thicknesses ranged from 0.05-0.5 µm and 0.1-1 µm, respectively. The performance of the tandem solar cell is determined after filtered spectrum feeding and current matching. The Jsc of CZTS/CZTSe tandem solar cell is 20.33 mA/cm2 for 0.255 µm thick of the top, CZTS, cell and 0.8 µm of the bottom, CZTSe, cell. The maximum ƞ of 22.98 % is reached for tandem structure design with open circuit voltage (Voc) enhancing of 1.48 V.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
-1658159922
Australia Australia
11994748
Bangladesh Bangladesh
267156241
Canada Canada
1098198603
China China
-440410172
France France
-1658159919
Germany Germany
-1658159921
India India
267156227
Indonesia Indonesia
1
Iran Iran
1518237729
Ireland Ireland
-1705637210
Malaysia Malaysia
653009112
Mexico Mexico
1
Morocco Morocco
259744741
Nigeria Nigeria
653009108
Oman Oman
1
Pakistan Pakistan
1
Russia Russia
1
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
-434836234
Spain Spain
1
Taiwan Taiwan
1986297838
Tanzania Tanzania
1
Ukraine Ukraine
-1533829440
United Kingdom United Kingdom
-1658159917
United States United States
-1004254296
Unknown Country Unknown Country
-474679148
Uzbekistan Uzbekistan
1

Downloads

Algeria Algeria
-474679147
Australia Australia
23989495
Bangladesh Bangladesh
-474679148
Belize Belize
1
Cameroon Cameroon
1368300772
China China
-1004254289
France France
-474679142
Germany Germany
1753955475
Greece Greece
1
India India
-474679141
Iran Iran
-1004254297
Japan Japan
1
Kenya Kenya
1
Mexico Mexico
1
Morocco Morocco
-1004254290
Netherlands Netherlands
1
Nigeria Nigeria
267156237
Pakistan Pakistan
-1004254299
Rwanda Rwanda
1
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
South Korea South Korea
1
Switzerland Switzerland
1
Ukraine Ukraine
326504551
United Kingdom United Kingdom
1518237735
United States United States
-1004254286
Unknown Country Unknown Country
-1004254300

Files

File Size Format Downloads
Ghalmi_jnep_6_2022.pdf 896.39 kB Adobe PDF 1628869232

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.