Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91066
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Laser-Induced Modification of the Morphology and Defect Structure of Heterostructures Based on Detector-Grade CdTe Crystals
Other Titles Лазерна модифікація морфології та дефектної структури гетероструктур на основі кристалів CdTe детекторного класу
Authors Gnatyuk, V.
Maslyanchuk, O.
Strebezhev, V.
Fodchuk, I.
Solovan, M.
Sorokatyi, M.
Boledzyuk, I.
Kuzmin, A.
ORCID
Keywords кристал CdTe
гетероструктура
лазерна обробка поверхні
діод Шотткі
зворотний струм
транспортування заряду
рентгенівський детектор
спектр випромінювання
CdTe crystal
heterostructure
laser surface treatment
Schottky diode
reverse current
charge transport
X/γ-ray detector
emission spectrum
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91066
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Volodymyr Gnatyuk, Olena Maslyanchuk, et al., J. Nano- Electron. Phys. 15 No 1, 01001 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(1).01001
Abstract Процеси лазерного маніпулювання дефектно-домішковою системою та лазерної трансформації морфології кристала дозволили підвищити детектуючі властивості структур на основі CdTe з бар’єром Шотткі. Методом рентгенівської дифрактометрії високої роздільної здатності оцінено структурну досконалість монокристалів CdTe:Cl. Ефективність контакту залежить як від матеріалу електрода, так і від обробки поверхні кристала CdTe перед його осадженням, крім того, характеристики сформованого інтерфейсу електрод-напівпровідник можуть бути змінені різними обробками. Опромінення поверхні кристалів CdTe або структур метал-CdTe лазерними імпульсами призводило до зміни морфології поверхні напівпровідника, утворення та перерозподілу дефектів в області поверхні та модифікації характеристик цієї області або межі розділу. Досліджено вплив лазерної обробки на структуру домішкових дефектів та електричні характеристики рентгенівських/γ-детекторів на діодах Шотткі, розроблених шляхом осадження Ni та NiO на комерційно доступні пластини CdTe:Cl. Методами атомносилової та скануючої електронної мікроскопії досліджено особливості тонких плівок Ni та NiO до та після лазерного опромінення. Обговорюється вплив імпульсного лазерного опромінення на контакти Ni/CdTe і NiO/CdTe та механізми трансформації їх фазового стану оскільки така обробка цих контактів Шотткі призвела до оптимізації електричних характеристик. Показано, що лазерна обробка гетеропереходів, як підкладки CdTe, так і плівки Ni та NiO, може навмисно змінити електричні властивості та підвищити чутливість Ni/p-CdTe/Au/Cu та NiO/p-CdTe/Au/Cu детекторів. Також обговорюється вплив лазерної обробки на структурні та спектроскопічні властивості рентгенівських/γ-детекторів на діодах Шотткі на основі CdTe.
The processes of laser manipulation of the defect-impurity system and laser transformation of the crystal morphology made it possible to increase the detection properties of CdTe-based structures with a Schottky barrier. The structural perfection of CdTe:Cl single crystals was assessed using high-resolution X-ray diffractometry. The contact efficiency depends both on the electrode material and the surface treatment of the CdTe crystal before its deposition, in addition, the characteristics of the formed electrodesemiconductor interface can be changed by various treatments. Irradiation of the surface of CdTe crystals or metal-CdTe structures with laser pulses led to a change in the morphology of the semiconductor surface, the formation and redistribution of defects in the surface region and modification of the characteristics of this region or interface. The effect of laser processing on the structure of impurity defects and electrical characteristics of X-ray/γ-detectors on Schottky diodes, developed by deposition of Ni and NiO on commercially available CdTe:Cl wafers, was studied. Using the methods of atomic force and scanning electron microscopy, the features of Ni and NiO thin films before and after laser irradiation were investigated. The effect of pulsed laser irradiation on Ni/CdTe and NiO/CdTe contacts and the mechanisms of transformation of their phase state has not been investigated; however, such processing of these Schottky contacts led to optimization of their electrical characteristics. It is shown that laser treatment of heterojunctions, both CdTe substrates and Ni and NiO films, can intentionally change the electrical properties and increase the sensitivity of Ni/p-CdTe/Au/Cu and NiO/p-CdTe/Au/Cu detectors. The effect of laser processing on the electrical and spectroscopic properties of CdTe-based Schottky diode X-ray/γ detectors is also discussed.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
1
Argentina Argentina
1
China China
1757954
Finland Finland
1
Germany Germany
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
4863
Ireland Ireland
1
Japan Japan
84
Moldova Moldova
1
Poland Poland
15683
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
45142
United Kingdom United Kingdom
886820
United States United States
7269339
Unknown Country Unknown Country
10025036

Downloads

China China
1
Finland Finland
18
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
Israel Israel
1
Japan Japan
126796
Moldova Moldova
1
Poland Poland
15684
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
126796
United Kingdom United Kingdom
886818
United States United States
10025035
Unknown Country Unknown Country
20004930

Files

File Size Format Downloads
Gnatyuk_jnep_1_2023.pdf 547.55 kB Adobe PDF 31186082

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.