Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91478
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Suns-Voc Characteristics of Silicon Solar Cell: Experimental and Simulation Study
Other Titles Характеристики Suns-Voc кремнієвої сонячної батареї: експериментальне та симуляційне дослідження
Authors Gulomov, J.
Aliev, R.
Kakhkhorov, J.
Tursunov, B.
ORCID
Keywords сонячна батарея
симулятор
напруга холостого ходу
фотоелектричні параметри
пасивація
solar cell
simulation
open circuit voltage
photoelectric parameters
passivation
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91478
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation J. Gulomov, R. Aliev, J. Kakhkhorov, B. Tursunov, J. Nano- Electron. Phys. 15 No 2, 02019 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02019
Abstract Ефективність сонячних елементів залежить від якості пасивації поверхні. Якість пасивації проаналізовано як функцію залежності напруги холостого ходу від інтенсивності світла. Тому в даній статті досліджено залежність фотоелектричних параметрів сонячної батареї на основі кремнію від інтенсивності світла. Відповідно до отриманих результатів встановлено, що зміна струму короткого замикання через інтенсивність світла дорівнює 25,6 мА/сонц·см2. Узгодженість результатів досліджень і моделювання з результатами експериментів доводить достовірність і правильність моделі. У цій статті експериментально підтверджено модель кремнієвої сонячної батареї Sentaurus TCAD. Таким чином, шляхом моделювання та експерименту досліджено залежність напруги холостого ходу кремнієвої сонячної батареї від інтенсивності світла. Отримана при моделюванні функціональна залежність напруги холостого ходу задовольно узгоджується з експериментом. Створена в Sentaurus TCAD модель сонячної батареї придатна для дослідження. Крім того, коефіцієнт заповнення сонячної батареї зростав зі збільшенням інтенсивності. Це доводить, що резистивні властивості сонячної батареї покращились.
The efficiency of solar cells depends on the quality of passivation of surface. The quality of passivation is analyzed as a function of the dependence of the open circuit voltage on the light intensity. Therefore, in this article, the dependence of the photoelectric parameters of the silicon-based solar cell on the light intensity was studied. According to the obtained results, it was found that the variation of the short-circuit current through light intensity is equal to 25.6 mA/suns·cm2. The agreement of the results obtained in research and modeling with the results of experiments proves the validity and correctness of the model. In this paper, the Sentaurus TCAD model of a silicon-based solar cell is experimentally verified. So, the dependence of the open circuit voltage of the silicon-based solar cell on the light intensity was studied through modeling and experiment. The functional dependence of the open circuit voltage obtained in the modeling satisfied the experiment. Therefore, the model of the solar cell created in Sentaurus TCAD is suitable for research. So, we can use model created in Sentaurus TCAD in our further researches. In addition, the fill factor of solar cell increased with increasing intensity. This proves that the resistive properties of the solar cell are improving.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
Australia Australia
1
China China
592
Germany Germany
95
Indonesia Indonesia
1
Malaysia Malaysia
2768
Singapore Singapore
112939
South Korea South Korea
1
Spain Spain
1
Ukraine Ukraine
597
United Kingdom United Kingdom
10873
United States United States
112938
Unknown Country Unknown Country
241998
Uzbekistan Uzbekistan
596

Downloads

China China
112932
Finland Finland
1
France France
1
Germany Germany
1
India India
112933
Indonesia Indonesia
1
Japan Japan
1
Malaysia Malaysia
1
Singapore Singapore
112940
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
2767
United States United States
112936
Uzbekistan Uzbekistan
1

Files

File Size Format Downloads
Gulomov_jnep_2_2023.pdf 272.96 kB Adobe PDF 454516

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.