Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91485
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title The Improved Performance with Reduction in Toxicity in CIGS Solar Cell Using Ultra-thin BaSi2 BSF Layer
Other Titles Покращена продуктивність зі зниженням токсичності сонячної батареї CIGS із використанням ультратонкого шару BaSi2 BSF
Authors Kancha, Km.
Sahu, A.
Yadav, S.
ORCID
Keywords CIGS
Cd0.6Zn0.4S
ZnSe
тонкоплівковий соняний елемент
ефективність перетворення
SCAPS-1D
thin-film solar cell
conversion efficiency
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91485
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Km. Kanchan, Anupam Sahu, Shivangi Yadav, J. Nano- Electron. Phys. 15 No 2, 02025 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02025
Abstract У цій статті представлено тонкоплівковий сонячний елемент (TFSC) на основі поглинаючого шару мідііндія-галію-диселеніду (CIGS) і недорогого ультратонкого BaSi2 Back Surface Field (BSF) із каркасом Al/SnO2F/буферний шар/CIGS/BaSi2/Mo/підкладка були запропоновані. Щоб підвищити ефективність і зменшити токсичність, Cd0.6Zn0.4S (сплав CdS і ZnS) та ZnSe були використані як відповідні буферні шари замість звичайних токсичних буферних шарів CdS. Запропонований TFSC також повинен бути економічно ефективним, тому товщину шару CIGS було оптимізовано (варіюється від 0,1-1 мкм). З буферними шарами Cd0.6Zn0.4S and ZnSe запропонований TFSC досягає максимальної ефективності перетворення (CE) 28,11 % і 27,72 % відповідно для оптимізованої товщини CIGS 0,8 мкм і шару BaSi2 BSF 0.3 мкм.Крім того, запропонований TFSC був досліджений на зміну щільності дефектів поглинаючого шару CIGS. Крім того, результати, отримані для запропонованого TFSC, показують покращення продуктивності порівняно з раніше зареєстрованим TFSC на основі CdS.
In this article, the thin-film solar cell (TFSC) based on Copper-Indium-Gallium-Diselenide (CIGS) absorber layer and low-cost ultra-thin BaSi2 Back Surface Field (BSF) with the framework of Al/SnO2:F/bufferlayer/CIGS/BaSi2/Mo/Substrate have been proposed. To enhance the performance and reduce the toxicity, the Cd0.6Zn0.4S (alloy of CdS and ZnS) and ZnSe have been used as suitable buffer layers as a replacement for conventional toxic CdS buffer layers. The proposed TFSC also aims to be cost-effective, therefore the thickness of the CIGS layer has been optimized (varied from 0.1-1 µm). With the Cd0.6Zn0.4S and ZnSe buffer layers, the proposed TFSC achieves the maximum conversion efficiency (CE) of 28.11 % and 27.72 %, respectively for the optimized CIGS thickness of 0.8 µm and BaSi2 BSF layer thickness of 0.3 µm. Further, the proposed TFSC has been investigated for variation in defect density of the CIGS absorber layer. Additionally, the results obtained for the proposed TFSC show improvement in the performance from the previously reported CdS-based TFSC.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
1
Canada Canada
1
China China
16340604
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
8866235
Japan Japan
1
Netherlands Netherlands
1
South Korea South Korea
216
Ukraine Ukraine
4433115
United Kingdom United Kingdom
12171
United States United States
16340606
Unknown Country Unknown Country
6097

Downloads

Algeria Algeria
1806
Australia Australia
1
Bangladesh Bangladesh
219
Canada Canada
1
China China
2716968
France France
16340607
Guatemala Guatemala
1
India India
8866232
Indonesia Indonesia
1
Iran Iran
1
Japan Japan
1
Morocco Morocco
1
South Africa South Africa
1
South Korea South Korea
22540
Ukraine Ukraine
12170
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
16340609
Unknown Country Unknown Country
4433114

Files

File Size Format Downloads
Kancha_jnep_2_2023.pdf 846.73 kB Adobe PDF 48734274

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.