Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91704
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Напівпровідникові діоди: теоретична оцінка і вимірювання параметрів |
Authors |
Костян, М.О.
|
ORCID | |
Keywords |
напівпровідниковий діод вольт-амперні характеристики прогнозування параметрів одновимірна діодна модель |
Type | Masters thesis |
Date of Issue | 2023 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91704 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Костян М. О. Напівпровідникові діоди: теоретична оцінка і вимірювання параметрів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня магістра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. Л. В. Однодворець. Суми : Сумський державний університет, 2023. 29 с. |
Abstract |
Актуальність теми роботи. Актуальність роботи обумовлена широким використанням напівпровідникових діодів різного функціонального призначення: випрямних, імпульсних, високочастотних і надвисокочастотних діодів, діодів Шотткі, стабілітронів, варикапів, світло випромінюючих та фотодіодів, а також їх перевагами перед електронними двоелектродними лампами: економія енергії для одержання носіїв струму, мініатюрність, висока надійність і тривалий ресурс роботи.
Мета роботи полягала у вивченні конструктивно-технологічних особливостей та фізики процесів в напівпровідникових діодах різного функціонального призначення і типономіналів, розрахунку параметрів діодів на основі одновимірної діодної моделі, порівнянні результатів вимірювань та розрахунків.
Методи: використання лабораторного стенду для вимірювань параметрів і хараактеристик діодів різного функціонального призначення і типономіналу; розрахунковий метод на основі одновимірної діодної моделі.
Отримані результати:
1. Розглянуто фізичні основи функціонування, класифікацію, особливості конструкцій, робочі параметри і характеристики та переваги напівпровідникових діодів різних типономіналів та функціонального призначення.
2. Порівняння експериментальних і розрахункових даних для промислового діода типу КД268А показало, що відхилення між цими даними становить від 5,4 до 47,0% в інтервалі зміни прямої напруги від 0 до 3 В, що може бути пояснено тим, що одновимірна модель діода не враховує деякі фізичні ефекти, такі як ефекти поверхневої генерації і рекомбінації носіїв заряду, рівень інжекції та явище теплоперенесення, які впливають на параметри напівпровідникової структури.
3. Аналіз вольт-амперних характеристик діодів Шотткі типу Д237Б та імпульсного діода типу КД522А показує, що характер залежності прямої гілки ВАХ для діодів відрізняються: експоненціальна залежність і діапазон прямого струму 0-10 мА (діод Шотткі) та гілка, яка має максимум і мінімум та діапазон прямого струму 0 - 0,15 А (імпульсний діод). |
Appears in Collections: |
Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (ЕлІТ) |
Views
Singapore
6375
Ukraine
2603
United Kingdom
16
United States
3546
Unknown Country
207
Downloads
France
1
Germany
1661
Indonesia
1
Netherlands
1
Ukraine
3546
United States
12748
Unknown Country
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Kostyan_mag_rob.pdf | 731.88 kB | Adobe PDF | 17959 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.