Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92448
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Performance Analysis of Charge-plasma Based Doping less Nanowire Field Effect Transistor
Other Titles Аналіз ефективності легування на основі зарядової плазми нанодротяного польового транзистора
Authors Raja, P.
Chander, P. N.
Faisal, B. M.
Prakash, V.
ORCID
Keywords зарядна плазма
gate-all-around
NWFET
Sentaurus TCAD
легування
діркова плазма
charge plasma
doping less
hole plasma
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92448
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation P. Raja, P. Naveen Chander, B. Mohamed Faisal, V. Prakash, J. Nano- Electron. Phys. 15 No 3, 03031 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(3).03031
Abstract Запропонована стаття зосереджена на результатах, отриманих завдяки включенню концепції зарядової плазми (CP) у циліндричний нанодротяний польовий транзистор (NWFET) для менше 10 нм. Ворота оточені шаром оксиду, далі – шар каналу. Концепція зарядової плазми вводиться в канал, оточуючи оксидний шар навколо каналу, і інший робочий функціонує металевий шар навколо оксиду. Описано роботу таких параметрів пристрою, як електричний потенціал і характеристики передачі. Аналіз порогової напруги, струму витоку та співвідношення ION/IOFF проводився для каналів довжиною 35 і 10 нм. Технологія Sentaurus Computer Aided Design (TCAD) була використана для оцінки та аналізу цього пристрою для менш ніж 10 нм. Для обчислення тунелювання та рекомбінації, TCAD моделює модель мобільності Ломбарді, модель Шоклі-Ріда-Холла (SRH), модель градієнта щільності та моделі рекомбінації Оже. Цей пристрій генерує вдвічі більший вихідний струм за допомогою NWFET на основі CP порівняно зі звичайним NWFET. Паразитарний витік зменшено, а співвідношення ION/IOFF стабілізовано. Крім того, покращується масштабованість, а високе вертикальне поле переходу Шотткі знижує бічний зв’язок між силовими лініями витоку та стоку. У майбутньому це можна використовувати для реалізації таких пристроїв пам’яті, як інвертор, 6T SRAM, 8T SRAM.
The proposed work focuses on the outcomes brought about by the inclusion of Charge Plasma (CP) concept in a cylindrical Nanowire Field Effect Transistor (NWFET) for sub 10 nm. The Gate is surrounded by an oxide layer, which is further surrounded by a channel layer. The concept of charge-plasma is introduced in the channel by surrounding an oxide layer around the channel, and a different work functions metal layer around the oxide. The performance of device parameters like the electric potential and transfer characteristics have been described. Analysis of Threshold Voltage, drain current and ION/IOFF ratio have been carried for 35 nm and 10 nm channel length. Sentaurus Technology Computer Aided Design (TCAD) has been used to evaluate and analyze this device for sub 10 nm. To calculate tunneling and recombination, the TCAD simulates the Lombardi mobility model, Shockley-Read-Hall (SRH), Density Gradient model, and Auger recombination models. This device generates twice times more output current by using the CP-based NWFET as compared to the conventional NWFET. The parasitic leakage has been reduced and the ION/IOFF ratio has been stabilized. Also, the scalability is enhanced, and the Schottky junction's high vertical field lowers the lateral coupling between the source and drain field lines. This can be used to implement in memory devices such as Inverter, 6T SRAM, 8T SRAM in future.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
38694
Ecuador Ecuador
1
India India
3925
Ireland Ireland
4
Mongolia Mongolia
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
1963
United Kingdom United Kingdom
236
United States United States
232098
Unknown Country Unknown Country
6745

Downloads

China China
283669
Ecuador Ecuador
1
France France
35
India India
166
Netherlands Netherlands
34
Poland Poland
1
Serbia Serbia
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
1104
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
283670
Unknown Country Unknown Country
1

Files

File Size Format Downloads
Raja_jnep_3_2023.pdf 446.98 kB Adobe PDF 568684

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.