Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92859
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Flexible Environmentally Friendly Thermoelectric Material Made of Copper (1) Iodide and Nanocellulose for Green Energy |
Other Titles |
Гнучкий екологічно чистий термоелектричний матеріал із йодиду міді (1) та наноцелюлози для зеленої енергетики |
Authors |
Klochko, N.P.
Barbash, V.A. Petrushenko, S.I. Kopach, V.R. Shepotko, Y.M. Dukarov, S.V. Sukhov, V.M. Yashchenko, O.V. Khrypunova, A.L. |
ORCID | |
Keywords |
термоелектричний елемент тонка плівка наноцелюлоза SILAR CuI thermoelectric element thin film nanocellulose |
Type | Article |
Date of Issue | 2023 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92859 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | N.P. Klochko, V.A. Barbash, S.I. Petrushenko, и др., J. Nano- Electron. Phys. 15 No 4, 04003 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(4).04003 |
Abstract |
Розроблено новий ефективний гнучкий гідрофобний термоелектричний (ТЕ) матеріал із підвищеною термічною стабільністю та механічною міцністю для виробництва зеленої енергії. Гнучка наноцелюлозна підкладка товщиною 8 мкм була отримана зі стебел звичайного очерету шляхом TEMPOопосередкованого окислення. Вона має високий індекс кристалічності 88 % і області когерентного розсіювання нанокристалів в межах від 2 до 3 нм. Плівка CuI товщиною 4,3 мкм була нанесена на підкладку NC методом послідовної адсорбції та реакції іонних шарів (SILAR), і таким чином був отриманий тонкоплівковий термоелектричний матеріал CuI/NC. Середній розмір областей когерентного розсіювання CuI становить 25 нм. Нанокристали CuI містять дислокації (1.6·1015 ліній/м2) і мікродеформації розтягу 6·103 від. од. Оптична заборонена зона Eg для прямих дозволених переходів у плівці CuI
дорівнює близько 3,0 еВ. Висока гідрофобність матеріалу CuI/NC є корисною властивістю для застосування у вологому середовищі. Матеріал CuI/NC містить однакову кількість атомів міді та йоду. Крім
того, в плівці йодиду міді присутня невелика кількість сірки (<1 ат.%), що збільшує фактор термоелектричної потужності матеріалу CuI/NC до 6,7 мкВт/(м К2) при T = 340 K.. Його позитивний коефіцієнт
Зеєбека S = 108 µV/K підтвердив p-тип провідності CuI. Зміна питомого опору при початковому нагріванні та подальшому охолодженні продемонструвала кросовер електропровідності, який є типовим
для плівок нанокристалічного виродженого напівпровідника CuI. Зразок CuI/NC у вигляді смужки
3 см x 1 см тестували як планарний тонкоплівковий ТЕ елемент. Експериментально зафіксовано
щільність вихідної потужності TE елемента CuI/NC 0.123 Вт/м2 при різниці між його гарячим і холодним краями 40 К. Herein, we have developed a new efficient flexible hydrophobic thermoelectric (TE) material with increased thermal stability and mechanical strength for green energy production. The 8 µm thick flexible nanocellulose (NC) substrate was obtained from stalks of common reed by TEMPO-mediated oxidation. It has a high crystallinity index of 88 % and the amount of coherent scattering of nanocrystals in the range from 2 to 3 nm. A CuI film with a thickness of 4.3 µm was deposited on the NC substrate by the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR), and thus a CuI/NC thin film thermoelectric material was obtained. The average size of the CuI coherent scattering regions is 25 nm. CuI nanocrystals contain dislocations (1.6·1015 lines/m2) and tensile microstrains of 6·103 arb. units. The optical band gap Eg for direct allowed transitions in the CuI film is about 3.0 eV. The high hydrophobicity of the CuI/NC material is a useful feature for applications in humid environments. The CuI/NC material contains the same number of copper and iodine atoms. In addition, a small amount of sulfur (< 1 at.%) is present in the copper iodide film, which increases the thermopower coefficient of CuI/NC to 6.7 µW/(m K2) at T = 340 K. Its positive Seebeck coefficient S = 108 µV/K confirmed the p-type conductivity of CuI. The change in the resistivity upon initial heating and subsequent cooling demonstrated the electrical conductivity crossover typical of films of nanocrystalline degenerate semiconductor CuI. A CuI/NC sample in the form of a 3 cm x 1 cm strip was tested as a planar thin film TE element. The output power density of a CuI/NC TE element 0.123 W/m2 was experimentally recorded at a difference between its hot and cold edges of 40 K. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
China
21702
Iran
935
Ireland
1
Italy
1
Japan
81232
New Zealand
1
Singapore
1
Taiwan
84
Ukraine
1
United Kingdom
82
United States
185614
Unknown Country
579650
Downloads
China
34929
Finland
16
France
1
Germany
1
Hong Kong SAR China
1
Iran
1
Japan
1
Netherlands
14
New Zealand
1861
Singapore
11782
South Korea
1
Ukraine
926
United Kingdom
1
United States
81233
Unknown Country
289995
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Klochko_jnep_4_2023.pdf | 1.11 MB | Adobe PDF | 420763 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.