Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92859
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Flexible Environmentally Friendly Thermoelectric Material Made of Copper (1) Iodide and Nanocellulose for Green Energy
Other Titles Гнучкий екологічно чистий термоелектричний матеріал із йодиду міді (1) та наноцелюлози для зеленої енергетики
Authors Klochko, N.P.
Barbash, V.A.
Petrushenko, S.I.
Kopach, V.R.
Shepotko, Y.M.
Dukarov, S.V.
Sukhov, V.M.
Yashchenko, O.V.
Khrypunova, A.L.
ORCID
Keywords термоелектричний елемент
тонка плівка
наноцелюлоза
SILAR
CuI
thermoelectric element
thin film
nanocellulose
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92859
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation N.P. Klochko, V.A. Barbash, S.I. Petrushenko, и др., J. Nano- Electron. Phys. 15 No 4, 04003 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(4).04003
Abstract Розроблено новий ефективний гнучкий гідрофобний термоелектричний (ТЕ) матеріал із підвищеною термічною стабільністю та механічною міцністю для виробництва зеленої енергії. Гнучка наноцелюлозна підкладка товщиною 8 мкм була отримана зі стебел звичайного очерету шляхом TEMPOопосередкованого окислення. Вона має високий індекс кристалічності 88 % і області когерентного розсіювання нанокристалів в межах від 2 до 3 нм. Плівка CuI товщиною 4,3 мкм була нанесена на підкладку NC методом послідовної адсорбції та реакції іонних шарів (SILAR), і таким чином був отриманий тонкоплівковий термоелектричний матеріал CuI/NC. Середній розмір областей когерентного розсіювання CuI становить 25 нм. Нанокристали CuI містять дислокації (1.6·1015 ліній/м2) і мікродеформації розтягу 6·103 від. од. Оптична заборонена зона Eg для прямих дозволених переходів у плівці CuI дорівнює близько 3,0 еВ. Висока гідрофобність матеріалу CuI/NC є корисною властивістю для застосування у вологому середовищі. Матеріал CuI/NC містить однакову кількість атомів міді та йоду. Крім того, в плівці йодиду міді присутня невелика кількість сірки (<1 ат.%), що збільшує фактор термоелектричної потужності матеріалу CuI/NC до 6,7 мкВт/(м К2) при T = 340 K.. Його позитивний коефіцієнт Зеєбека S = 108 µV/K підтвердив p-тип провідності CuI. Зміна питомого опору при початковому нагріванні та подальшому охолодженні продемонструвала кросовер електропровідності, який є типовим для плівок нанокристалічного виродженого напівпровідника CuI. Зразок CuI/NC у вигляді смужки 3 см x 1 см тестували як планарний тонкоплівковий ТЕ елемент. Експериментально зафіксовано щільність вихідної потужності TE елемента CuI/NC 0.123 Вт/м2 при різниці між його гарячим і холодним краями 40 К.
Herein, we have developed a new efficient flexible hydrophobic thermoelectric (TE) material with increased thermal stability and mechanical strength for green energy production. The 8 µm thick flexible nanocellulose (NC) substrate was obtained from stalks of common reed by TEMPO-mediated oxidation. It has a high crystallinity index of 88 % and the amount of coherent scattering of nanocrystals in the range from 2 to 3 nm. A CuI film with a thickness of 4.3 µm was deposited on the NC substrate by the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR), and thus a CuI/NC thin film thermoelectric material was obtained. The average size of the CuI coherent scattering regions is 25 nm. CuI nanocrystals contain dislocations (1.6·1015 lines/m2) and tensile microstrains of 6·103 arb. units. The optical band gap Eg for direct allowed transitions in the CuI film is about 3.0 eV. The high hydrophobicity of the CuI/NC material is a useful feature for applications in humid environments. The CuI/NC material contains the same number of copper and iodine atoms. In addition, a small amount of sulfur (< 1 at.%) is present in the copper iodide film, which increases the thermopower coefficient of CuI/NC to 6.7 µW/(m K2) at T = 340 K. Its positive Seebeck coefficient S = 108 µV/K confirmed the p-type conductivity of CuI. The change in the resistivity upon initial heating and subsequent cooling demonstrated the electrical conductivity crossover typical of films of nanocrystalline degenerate semiconductor CuI. A CuI/NC sample in the form of a 3 cm x 1 cm strip was tested as a planar thin film TE element. The output power density of a CuI/NC TE element 0.123 W/m2 was experimentally recorded at a difference between its hot and cold edges of 40 K.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
21702
Iran Iran
935
Ireland Ireland
1
Italy Italy
1
Japan Japan
81232
New Zealand New Zealand
1
Singapore Singapore
1
Taiwan Taiwan
84
Ukraine Ukraine
1
United Kingdom United Kingdom
82
United States United States
185614
Unknown Country Unknown Country
579650

Downloads

China China
34929
Finland Finland
16
France France
1
Germany Germany
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
Iran Iran
1
Japan Japan
1
Netherlands Netherlands
14
New Zealand New Zealand
1861
Singapore Singapore
11782
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
926
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
81233
Unknown Country Unknown Country
289995

Files

File Size Format Downloads
Klochko_jnep_4_2023.pdf 1.11 MB Adobe PDF 420763

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.