Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Analysis of the thermal conditions of pulse impact avalanche transit-time diodes |
Authors |
Sorokin, M.S.
Arkhipov, A.V. |
ORCID | |
Keywords |
thermal diffusivity pulse duration thermal resistance тривалість імпульсу шпаруватість импульсу тепловий опір длительность импульса скважность импульса тепловое сопротивление |
Type | Article |
Date of Issue | 2009 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333 |
Publisher | Видавництво СумДУ |
License | Copyright not evaluated |
Citation | M.S. Sorokin, A.V. Arkhipov, J. Nano- Electron. Phys. 1 No4, 76 (2009) |
Abstract |
The nonstationary problem of the thermal process for the pulse mode of impact avalanche transit-time diodes is solved. The one-dimensional thermal model of such diodes, which takes into account the heterogeneity of the thermal power distribution and the heat spreading along the heat sink in the operating temperature range, is considered. The numerical calculation results of the average temperature of the active layer and the thermal resistance on the pulse parameters, as well as on the geometric and thermophysical diode parameters, are presented.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333 Розв’язана нестаціонарна задача теплового процесу для імпульсного режиму ЛПД. Розглянута одновимірна теплова модель цих діодів, в якій враховані неоднорідність розподілу теплової потужності та розтікання тепла вздовж тепловідводу у робочому інтервалі температур. Наведені результати чисельного розрахунку залежності середньої температури активного шару та теплового опору від параметрів імпульсу, а також від геометричних та теплофізичних параметрів діода. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333 Решена нестационарная задача теплового процесса для импульсного режима ЛПД. Рассмотрена одномерная тепловая модель этих диодов, в которой учтены неоднородность распределения тепловой мощности и растекания тепла по теплоотводу в рабочем интервале температур. Приведены результаты численного расчета зависимости средней темпе-ратуры активного слоя и теплового сопротивления от параметров им-пульса, а также от геометрических и теплофизических параметров диода. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333 |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

7950

22533809

2

351

1

1

210641

1

3

2

2

24

45067614

3

1907676

961788

90135228

72

31802
Downloads

17

352

1907675

1

1

1

3811858

1

45067614

160856971

1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
12.pdf | 226.22 kB | Adobe PDF | 211644492 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.