Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Analysis of the thermal conditions of pulse impact avalanche transit-time diodes
Authors Sorokin, M.S.
Arkhipov, A.V.
ORCID
Keywords thermal diffusivity
pulse duration
thermal resistance
тривалість імпульсу
шпаруватість импульсу
тепловий опір
длительность импульса
скважность импульса
тепловое сопротивление
Type Article
Date of Issue 2009
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Publisher Видавництво СумДУ
License
Citation M.S. Sorokin, A.V. Arkhipov, J. Nano- Electron. Phys. 1 No4, 76 (2009)
Abstract The nonstationary problem of the thermal process for the pulse mode of impact avalanche transit-time diodes is solved. The one-dimensional thermal model of such diodes, which takes into account the heterogeneity of the thermal power distribution and the heat spreading along the heat sink in the operating temperature range, is considered. The numerical calculation results of the average temperature of the active layer and the thermal resistance on the pulse parameters, as well as on the geometric and thermophysical diode parameters, are presented. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Розв’язана нестаціонарна задача теплового процесу для імпульсного режиму ЛПД. Розглянута одновимірна теплова модель цих діодів, в якій враховані неоднорідність розподілу теплової потужності та розтікання тепла вздовж тепловідводу у робочому інтервалі температур. Наведені результати чисельного розрахунку залежності середньої температури активного шару та теплового опору від параметрів імпульсу, а також від геометричних та теплофізичних параметрів діода. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Решена нестационарная задача теплового процесса для импульсного режима ЛПД. Рассмотрена одномерная тепловая модель этих диодов, в которой учтены неоднородность распределения тепловой мощности и растекания тепла по теплоотводу в рабочем интервале температур. Приведены результаты численного расчета зависимости средней темпе-ратуры активного слоя и теплового сопротивления от параметров им-пульса, а также от геометрических и теплофизических параметров диода. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
7950
China China
22533809
France France
2
Germany Germany
351
Greece Greece
1
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
210641
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
3
Pakistan Pakistan
2
Romania Romania
2
Russia Russia
24
Singapore Singapore
45067614
Turkey Turkey
3
Ukraine Ukraine
1907676
United Kingdom United Kingdom
961788
United States United States
90135228
Unknown Country Unknown Country
72
Vietnam Vietnam
31802

Downloads

China China
17
Germany Germany
352
India India
1907675
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Slovenia Slovenia
1
Ukraine Ukraine
3811858
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
45067614
Unknown Country Unknown Country
160856971
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
12.pdf 226.22 kB Adobe PDF 211644492

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.