Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/93352
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Electrical Properties and Photosensitivity of n-Mn2O3/p-InSe Heterojunctions Produced by the Spray Pyrolysis Method
Other Titles Електричні властивості і фоточутливість гетеропереходів n-Mn2O3/p-InSe, виготовлених методом спрей-піролізу
Authors Orletskii, I.G.
Tkachuk, I.G.
Ivanov, V.I.
Kovalyuk, Z.D.
Zaslonkin, A.V.
ORCID
Keywords селенід індію
Mn2O3
гетероструктури
спрей-піроліз
вольт-амперні характеристики
фоточутливість
Indium Selenide
heterojunction
spray pyrolysis
I-V characteristics
photosensitivity
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/93352
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation I.G. Orletskii, I.G. Tkachuk, et al., J. Nano- Electron. Phys. 15 No 5, 05004 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(5).05004
Abstract Досліджені умови нанесення методом спрей-піролізу при температурі 350 оС тонких напівпровідникових плівок Mn2O3 на підкладки з кристалічного шаруватого напівпровідника p-InSe для створення анізотипних гетеропереходів n-Mn2O3/p-InSe. InSe є перспективним матеріалом для фотоелектроніки. Використання плівки Mn2O3, яка є прозорою в області максимальної фоточутливості InSe, дозволяє ефективно експлуатувати оптичні властивості InSe при створенні різних напівпровідникових пристроїв. Перевагою використання шаруватих напівпровідників при виготовленні гетеропереходів є те, що якісні інтерфейси отримуються навіть при значному неспівпаданні параметрів кристалічних граток вихідних матеріалів. Це значно розширює вибір матеріалів гетеропереходів. Проведені виміри електричних та фотоелектричних параметрів гетеропереходів n-Mn2O3/p-InSe та запропоновано теоретичні моделі, що їх описують. Побудовано графічні залежності I-V характеристик, послідовного опору, висоти потенційного бар’єру та фоточутливості. Встановлено, що дані гетеропереходи є фоточутливі та володіють випрямляючими властивостями. Використовуючи енергетичні параметри вихідних матеріалів, побудовано енергетичну діаграму гетеропереходу, яка дозволяє провести аналіз фізичних процесів в отриманих гетеропереходах. За температурною залежністю як прямих, так і зворотних вольт-амперних характеристик встановлена динаміка зміни з температурою енергетичних параметрів гетеропереходу, а також механізми протікання струму крізь гетероперехід. Проаналізована спектральна фоточутливість гетеропереходу.
The conditions of application of thin semiconductor Mn2O3 films on p-InSe crystalline layered semiconductor substrates at a temperature of 623 K by the spray-pyrolysis method to create anisotypic heterojunctions n-Mn2O3/p-InSe were investigated. InSe is a promising material for photoelectronics. The use of the Mn2O3 film, which is transparent in the region of maximum photosensitivity of InSe, makes it possible to effectively exploit the optical properties of InSe in the fabrication of various semiconductor devices. The advantage of using layered semiconductors in the production of heterojunctions is that high-quality interfaces are obtained even with a significant discrepancy in the parameters of the crystal lattices of the starting materials. This significantly expands the choice of heterojunction materials. Electrical and photoelectric parameters of n-Mn2O3/p-InSe heterojunctions were measured and theoretical models describing them were proposed. The graphical dependencies of I-V characteristics, series resistance, height of the potential barrier and photosensitivity are constructed. It was established that these heterojunctions are photosensitive and have rectifying properties. Using the energy parameters of the starting materials, an energy diagram of the heterojunction was constructed, which allows for the analysis of physical processes in the obtained heterojunctions. Based on the temperature dependence of both direct and reverse I-V characteristics, the dynamics of changes in the energy parameters of the heterojunction with temperature, as well as the mechanisms of current flow through the heterojunction, are established. The spectral photosensitivity of the heterojunction was analyzed.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
China China
1
Japan Japan
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Ukraine Ukraine
13
United States United States
92
Unknown Country Unknown Country
111

Downloads

China China
56
India India
11
Kazakhstan Kazakhstan
7
Poland Poland
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
24
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
13
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
77

Files

File Size Format Downloads
Orletskii_jnep_5_2023.pdf 665.16 kB Adobe PDF 192

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.