Kinetic Properties of CdSe0.4Te0.6: Connection of Ab initio Approach with Short-range Principle

Abstract

У статті встановлено зв'язок між структурою дефектів у CdSexTe1 – x (x = 0,4) та його кінетичними властивостями. Вперше запропоновано метод визначення енергетичного спектру, хвильової функції та самоузгодженого кристалічного потенціалу в CdSe0.4Te0.6 при заданій температурі. У рамках методу суперкомірки досліджено структуру дефектів і визначено температурні залежності енергій іонізації різних типів дефектів. Запропонований метод також дає змогу визначити температурні залежності оптичного та акустичного потенціалів деформації, а також температурну залежність параметрів розсіювання електронів на різних типах дефектів кристала. В рамках близькодіючих моделей розсіяння встановлено залежності рухливості електронів і фактора Холла електронів від температури.

In the presented article a relationship between the structure of defects in CdSexTe1 – x (x = 0.4) and its kinetic properties is established. For the first time, a method for determining the energy spectrum, wave function, and self-consistent crystal potential in CdSe0.4Te0.6 at a predetermined temperature is proposed. Within the framework of the supercell method, the structure of defects is studied and the temperature dependences of the ionization energies of various types of defects are determined. The proposed method also makes it possible to determine the temperature dependences of the optical and acoustic deformation potentials, as well as the temperature dependence of electron scattering parameters on different types of crystal defects. Within the framework of the short-range scattering models, the dependences of the electron mobility and electron's Hall factor vs temperature are established.