Surfase morphology and optical properties of CdSe films obtained by the close-spaced vacuum sublimation technique

Abstract

Investigation of the surface morphology, growth mechanisms and optical properties of CdSe films obtained by the close-spaced vacuum sublimation (CSVS) technique, which are promising for use as the absorption layers of tandem solar cells and photodetectors, was carried out in the present paper. Measurements of the optical characteristics of the layers were performed by the spectrophotometric analysis method near the “red boundary” of semiconductor photoactivity. Performed investigations allowed to obtain the spectral distributions of the transmission T(λ), reflection R(λ), absorption α(λ), and refraction n(λ) coefficients, and the real ε1(λ) and imaginary ε2(λ) parts of the optical dielectric constant of the samples and to define their dependence on the film deposition temperature. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9358

В роботі проведено дослідження морфології поверхні, механізмів росту та оптичних властивостей плівок CdSe, одержаних методом термічного випаровування у квазізамкненому об’ємі, які є перспективними для використання у якості поглинаючих шарів тандемних сонячних елементів та фотодетекторів. Вимірювання оптичних характеристик шарів здійснювалося методами спектрофотометричного аналізу поблизу «червоної межі» фотоактивності напівпровідника. Проведені дослідження дали можливість отримати спектральні розподіли коефіцієнтів пропускання Т(λ), відбиття R(λ), поглинання α(λ), заломлення n(λ), реальної ε1(λ) та уявної ε2(λ) частин оптичної діелектричної сталої зразків та виявити їх залежність від температури осадження плівок. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9358

В работе проведено исследование морфологии поверхности, механизмов роста и оптических свойств пленок CdSe, полученных методом термического испарения в квазизамкнутом объеме, перспективных для использования в качестве поглощающих слоев тандемных солнечных элементов и фотодетекторов. Измерение оптических характеристик слоев проводилось методами спектрофотометрического анализа вблизи «красной границы» фотоактивности полупроводника. Проведенные исследования дали возможность получить спектральные распределения коэффициентов пропускания Т(λ), отражения R(λ), поглощения α(λ), преломления n(λ), реальной ε1(λ) и мнимой ε2(λ) частей оптической диэлектрической постоянной образцов и выявить их зависимость от температуры осаждения пленок. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9358