Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94059
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Band Gap Engineering of New Lutetium-based Orthovanadates |
Other Titles |
Заборонена зона нових ортованадатів на основі лютецію |
Authors |
Hreb, V.M.
Klysko, Yu.V. Shpotyuk, M.V. Vasylechko, L.O. |
ORCID | |
Keywords |
рідкоземельний ортованадат характеристика структури розрахунок ab initio заборонена зона спектр дифузного відбиття rare-earth orthovanadate structure characterization ab initio calculation band gap diffuse reflectance spectra |
Type | Article |
Date of Issue | 2023 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94059 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | V.M. Hreb, Yu.V. Klysko, M.V. Shpotyuk, L.O. Vasylechko, J. Nano- Electron. Phys. 15 No 6, 06014 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06014 |
Abstract |
Ряд змішаних ортованадатів номінального Lu0.5R0.5VO4 (R = Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er,
Tm, Yb) синтезовано методом твердофазної реакції в тристадійний процес відпалу. Однофазні порошки з меншими Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb отримували після другої стадії прожарювання при 1200 ˚C
протягом 5 годин, тоді як для великих Ce, Pr, Nd, Sm потребували третього прожарювання. Уточнений аналіз кристалічної структури Рітвельдом підтверджує структуру типу циркону (просторова група I41/amd). Крім того, у змішаному ряді Lu0.5R0.5VO4 спостерігалася лінійна залежність отриманих
параметрів ґратки від іонного радіуса заміщеного лантаноїду R. Параметри решітки, оптимізовані
методами ab initio, дещо менші за параметри, отримані за допомогою уточнення Рітвельда, що можна
пояснити неточностями в описі f-електронів за допомогою теорії функціоналу густини (DFT). Спектри
пропускання та дифузного відбиття змішаних сполук Lu0.5R0.5VO4 подібні до спектрів, отриманих для
відповідних ортованадатів RVO4. Обидва отримані спектри вказують на значні відмінності в інтенсивності пропускання/відбиття між зразками, відпаленими при 1200 і 1400 °C, але ширина забороненої
зони залишається незмінною, що свідчить про покращення їх кристалічності. Як експериментальні,
так і теоретичні результати показують ледь помітне зменшення забороненої зони, що спостерігається
при зменшенні іонного радіуса лантаноїдів. Ретельний аналіз електронної структури матеріалів і
спектрів дифузного відбиття свідчить про те, що положення f-рівнів лантаноїдів є визначальним фактором у формуванні валентних зон і зон провідності. A series of mixed orthovanadates with nominal composition Lu0.5R0.5VO4 (R = Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb) were synthesized by a solid-state reaction method in the three-stage annealing process. The single-phase powders with smaller Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb were obtained after the second calcined stage at 1200 °C for 5h, while for large Ce, Pr, Nd, Sm needed a third calcining. Rietveld refinement analysis of the crystal structure confirms a zircon-type structure (space group I41/amd). Furthermore, a linear dependence of the obtained lattice parameters on the ionic radius of the substituted lanthanide R was observed in the mixed Lu0.5R0.5VO4 series. The lattice parameters optimized by ab initio methods are slightly smaller than parameters obtained by Rietveld refinement, which can be explained by inaccuracies in the description of f-electrons using density functional theory (DFT). The transmission and diffuse reflectance spectra of mixed compounds Lu0.5R0.5VO4 are similar to such spectra obtained for corresponding orthovanadates RVO4. Both obtained spectra indicated significant differences in transmission/reflection intensities between samples annealed at 1200 °C and 1400 °C, but the band gap width remained unchanged, suggesting an improvement their crystallinity. Both experimental and theoretical results reveal a barely noticeable reduction in the band gap observed with a reduction of the ionic radius of the lanthanides. A thorough analysis of the electronic structure of the materials and diffuse reflectance spectra suggests that the position of the f-levels of lanthanides is the determining factor in the formation of valence and conduction bands. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
China
22
Iran
1
Japan
25
Pakistan
1
Singapore
1
United States
14
Unknown Country
1
Downloads
China
26
France
1
India
1
South Korea
1
United States
20
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Hreb_jnep_6_2023.pdf | 1.12 MB | Adobe PDF | 49 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.