Investigation of the Influence of Technological Factors on High-Voltage p0–n0 Junctions Based on GaAs

Abstract

Розроблено технологію та знайдено оптимальне рішення для отримання p0-n0 переходів на основі слаболегованих шарів GaAs з високими значеннями електричних параметрів і заданими товщинами базових шарів для створення надшвидкісних високовольтних імпульсних трьох -електродні перемикачі з фотонно-інжекційним механізмом перенесення безкворумних носіїв заряду. Досліджено залежність комутаційної стійкості від керуючого імпульсу створених високовольтних фотонно-інжекційних перемикачів у широкострумовому та частотному режимі їх роботи, його чутливість до різноманітних зовнішніх та внутрішніх впливів цих параметрів. Від товщини p0-шару, від коефіцієнта передачі α, від напруги пробою Uтріал, високовольтного переходу p0-n0, від товщини розчину-розплаву, від температури початку кристалізації, а також як залежність коефіцієнта передачі від товщини p0-шару.

A technology has been developed and an optimal solution has been found for obtaining p0-n0 junctions based on lightly doped GaAs layers, with high values of electrical parameters and specified thicknesses of the base layers for creating ultra-high-speed high-voltage pulsed three-electrode switches with a photoninjection mechanism for the transfer of no ne quorum charge carriers. The dependence of the switching stability relative to the control pulse of the created high-voltage photonic-injection switches in a wide current and frequency mode of their operation, its sensitivity to various external and internal influences of these parameters has been studied. Those on the thickness of the p0-layer, on the transfer coefficient α, on the breakdown voltage Utrial, high-voltage p0-n0 transition, on the thickness of the solution-melt, on the temperature of the onset of crystallization, as well as the dependence of the transfer coefficient on the thickness of the p0-layer.