Effect of GaSb Compound on Silicon Bandgap Energy

Abstract

Досліджена ширина забороненої зони зразків Si, легованих домішковими атомами елементів Ga (AIII) і Sb (BV) дифузійним методом і без домішкових атомів. Відомо, що ширина забороненої зони напівпровідників GaSb і Si при кімнатній температурі становить 0,726 і 1,12 еВ відповідно. Установлено, що щирина забороненої зони зразків Ga та Sb легованого та нелегованого Si становить 1,114 та 1,119 еВ відповідно. Під час подальшого відпалу матеріалів при температурі 600 °C було виявлено, що ширина забороненої зони легованих Ga та Sb зразків зменшується до 1,10 еВ.

In this work, the bandgap energy of Si samples doped with impurity atoms of elements Ga (AIII) and Sb (BV) by the diffusion method and without impurity atoms was studied. It is known that the bandgap energies of GaSb and Si semiconductors at room temperature are 0.726 and 1.12 eV, respectively. According to the results of the study, it was found that the band gap energies of Ga and Sb-doped and non-doped Si samples are 1.114 and 1.119 eV, respectively. When the samples were further annealed at a temperature of 600 °C, it was observed that the bandgap energy of the samples doped with Ga and Sb decreased to 1.10 eV.