Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95212
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Fe2O3/p-InSe Heterostructures Produced by Spray Pyrolysis Method
Other Titles Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу
Authors Orletskii, I.G.
Tkachuk, I.G.
Kovalyuk, Z.D.
Ivanov, V.I.
Zaslonkin, A.V.
ORCID
Keywords селенід індію
гематит
гетероструктури
спрей-піроліз
вольт-амперні характеристики
фоточутливість
indium selenide
hematite
heterostructures
spray pyrolysis
I-V characteristics
photosensitivity
Type Article
Date of Issue 2024
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95212
Publisher Sumy State University
License Creative Commons Attribution 4.0 International License
Citation I.G. Orletskii, I.G. Tkachuk, et al., J. Nano- Electron. Phys. 16 No 2, 02007 (2024) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02007
Abstract Досліджено спосіб виготовлення методом спрей-піролізу при 703 К плівок Fe2O3 на підкладках p-InSe для утворення і вивчення анізотипних гетероперехолів n-Fe2O3/p-InSe. Перевагою даного методу є простота та дешевизна. Він не потребує складного технологічного обладнання чи приміщення високого класу чистоти. Проведено дослідження електричних та фотоелектричних параметрів гетеропереходу. Вивчено вплив температури, наведена закономірність зміни енергетичного бар’єра гетеропереходу при підвищенні температури. На основі аналізу вольт амперних характеристик, встановлено природу струмів, які протікають у гетеропереході. Для пояснення отриманих експериментальних результатів, побудована енергетична діаграма гетеропереходу, яка базується на відомих числових значеннях енергетичних параметрів матеріалів, з яких гетероструктура виготовлена. Експериментальні дані і запропонована енергетична діаграма добре узгоджується між собою. Виміряна та проаналізована спектральна квантова фоточутливість гетеропереходу. Встановлено, що гетеропереходи n-Fe2O3/p-InSe є фоточутливими в діапазоні енергій 1.2÷2.8 еВ.
The method of producing Fe2O3 films on p-InSe substrates by spray-pyrolysis method at 703 K for the formation and investigation of n-Fe2O3/p-InSe anisotype heterojunctions was studied. The advantage of this method is simplicity and cheapness. It does not require complex technological equipment or ultraclean environments. The electrical and photoelectric parameters of the heterojunctions were investigated. The effect of temperature is studied, and the regularity of the change in the energy barrier of the heterojunction with increasing temperature is given. Based on the analysis of the I-V characteristics, the nature of the currents flowing in the heterojunction was established. To explain the obtained experimental results, an energy diagram of the heterojunction is constructed, which is based on the known numerical values of the energy parameters of the materials from which the heterostructure is made. The experimental data and the proposed energy diagram agree well with each other. The spectral quantum photosensitivity of the heterojunction was measured and analyzed. It was established that n-Fe2O3/p-InSe heterojunctions are photosensitive in the energy range of 1.2÷2.8 eV.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
64
Canada Canada
10
China China
1
Japan Japan
1
Jordan Jordan
1
Poland Poland
1
Ukraine Ukraine
1
United States United States
375
Unknown Country Unknown Country
1

Downloads

Australia Australia
1
Canada Canada
12
China China
1
Germany Germany
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Netherlands Netherlands
1
Ukraine Ukraine
208
United States United States
376

Files

File Size Format Downloads
Orletskii_jnep_2_2024.pdf 622.85 kB Adobe PDF 601

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.