Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95230
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Equivalent Circuit Model to Reach Complicated Surface Photovoltage Transient Shapes in ZnO Thin Films
Other Titles Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO
Authors Nadtochiy, A.
Podolian, A.
Korotchenkov, O.
Oberemok, O.
Kosulya, O.
Romanyuk, B.
ORCID
Keywords поверхнева фото-ЕРС
оксид цинку
еквівалентні схеми
surface photovoltage
zinc oxide
equivalent circuits
Type Article
Date of Issue 2024
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95230
Publisher Sumy State University
License Creative Commons Attribution 4.0 International License
Citation A. Nadtochiy1, A. Podolian, J. Nano- Electron. Phys. 16 No 2, 02023 (2024) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02023
Abstract Плівки ZnO були отримані нанесенням оксиду цинку на підкладку кремнію p-типу за допомогою магнетронного розпилення, після чого у плівку були імплантовані іони Nd+ з подальшим відпалом. Динаміка фотозбуджених носіїв досліджувалась за допомогою вимірювання поверхневої фото-ЕРС Перехідний процес кінетики фото-ЕРС після вимкнення джерела світла часто має вигляд немонотонного та/або знакозмінного загасання. Моделювання таких складних перехідних процесів проводилося за допомогою методу еквівалентних схем. Були розроблені еквівалентні схеми, що містять у собі декілька елементів опору (R), ємності (C) та індуктивності (L). За допомогою аналізу імпедансу в часовій області була також розроблена проста процедура підгонки, яка дозволяє точно відтворювати виміряний перехідний процес фото-ЕРС. Показано можливий взаємозв'язок між цими елементами RCL і фізичною картиною явищ переносу заряду в областях розділу структури. Такий підхід може бути корисним для використання при моделюванні характеристик інтерфейсів у напівпровідникових структурах і пристроях.
The dynamics of photoexcited carriers in magnetron sputtered ZnO films is characterized employing time-domain impedance analysis, which is based on the measurements of the surface photovoltage (SPV) transients. The studies focus on observing the damage after the implantation of Nd+ ions in ZnO layers and a subsequent anneal. We observed the positive and negative components of the measured SPV transient and develop equivalent circuits of the structure involving multiple series of parallel resistance (R), capacitance (C), and inductance (L) elements, and derive a simple fitting procedure which allows to reproduce accurately the measured SPV transient. The relationship between these RCL elements and a rough physical picture of the charge transport phenomena in the interface regions of the structure is envisaged. This approach is conceptually useful for characterizing interfaces in semiconductor structures and devices.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
Belgium Belgium
1
Italy Italy
1
Spain Spain
94
Ukraine Ukraine
16
United States United States
71
Unknown Country Unknown Country
1

Downloads

Argentina Argentina
1
Canada Canada
1
China China
19
Germany Germany
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
1
Italy Italy
1
Netherlands Netherlands
1
United States United States
187

Files

File Size Format Downloads
Nadtochiy_jnep_2_2024.pdf 648.68 kB Adobe PDF 213

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.