Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95272
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей
Other Titles Нанесення плівок сполук Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, SnS та визначення оптимальних умов їх одержання. Двошарові та багатошарові структури на основі оксидних та багатокомпонентних сполук. Створення прототипів функціональних елементів гнучкої електроніки на основі розроблених та оптимізованих гетеропереходів
Authors Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych  
Kakherskyi, Stanislav Ihorovych
Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych  
Diachenko, Oleksii Viktorovych  
Lohvynov, Andrii Mykolaiovych  
Возний, Андрій Андрійович
Voznyi, Andrii Andriiovych
Shamardin, Artem Volodymyrovych
Hnatenko, Yurii Pavlovych  
Bukivskyi, Petro Mykolaiovych
ORCID http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
http://orcid.org/0000-0001-9238-7596
http://orcid.org/0000-0002-2560-9379
http://orcid.org/0000-0003-2312-5255
http://orcid.org/0000-0001-5496-3345
http://orcid.org/0000-0002-8173-3948
Keywords наночастинки
nanoparticles
плівки
films
хімічні методи нанесення
chemical deposition methods
друк
printing
оксидні та кестеритні сполуки
oxide and kesterite compounds
гетеропереходи
hetero-junctions
ZnO:Al (In)
NiO
CuxO
SnSx
Cu2ZnSn(SxSe1-x)4
Cu2Zn(Mg)SnS4
елементний склад
elemental composition
структура та субструктура
structure and substructure
оптичні характеристики
optical characteristics
фотолюмінесценція
photoluminescence
питомий опір
resistivity
гнучка та прозора електроніка
flexible and transparent electronics
Type Technical Report
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95272
Publisher Сумський державний університет
License Copyright not evaluated
Citation Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей = Нанесення плівок сполук Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, SnS та визначення оптимальних умов їх одержання. Двошарові та багатошарові структури на основі оксидних та багатокомпонентних сполук. Створення прототипів функціональних елементів гнучкої електроніки на основі розроблених та оптимізованих гетеропереходів : звіт про НДР (заключний) / кер. А. С. Опанасюк. Суми : Сумський державний університет, 2023. 276 с. № 0120U104809.
Abstract Об’єкт досліджень: процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках синтезованих колоїдно-поліольним методом при різних фізико- та хіміко-технологічних умовах та їх вплив на електрофізичні, оптичні, фотолюмінесцентні характеристики одно- та багатошарових зразків. Предмет досліджень: розробка матеріалознавчих основ одержання наночастинок і плівок кестеритних (Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSе4, Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, Cu2Zn(Mg)SnS4, SnSx) та оксидних (ZnO, NiO, CuxO) напівпровідникових сполук, а також методів керування ансамблем дефектів, електрофізичними, оптичними, фотолюмінесцентними характеристиками наноматеріалів з метою їх одержання із заданими фізичними властивостями. Вироблення рекомендацій щодо подальшого використання отриманих наноматеріалів у сенсориці, опто- і мікроелектроніці, гнучкій електроніці, геліоенергетиці. Мета роботи: cтворення матеріалознавчих і фізико-технологічних основ одержання нових перспективних напівпровідникових наноматеріалів, плівок і гетероструктур на їх основі з контрольованими та наперед заданими електричними, оптичними і структурними властивостями шляхом друку, придатних для використання в гнучкій електроніці, опто- і мікроелектроніці, сенсориці та геліоенергетиці.
Research object: processes of phase and structure formation in the nanoparticles synthesized by the colloidal-polyol method under different physical and chemical-technological conditions and their influence on the electrophysical, optical, photoluminescent properties of single- and multilayer samples. Research subject: development of materials science bases to design nanoparticles and films of kesteritic (Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSе4, Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, Cu2Zn(Mg)SnS4, SnSx) and oxide (ZnO, NiO, CuxO) semiconductor compounds, as well as methods for controlling an ensemble of defects, electrophysical, optical, photoluminescent properties of nanomaterials with an aim to control their physical properties. Development of recommendations for further use of the obtained nanomaterials in sensory, opto- and microelectronics, flexible electronics, solar energy. Research purpose: the purpose of the project is to develop materials and physical-technological bases for obtaining new promising semiconductor nanomaterials with controlled and predetermined electrical, optical, and structural properties by colloidal-polyol synthesis, suitable for application in flexible electronics, optoelectronics and microelectronics, sensors and solar energy.
Appears in Collections: Звіти з наукових досліджень

Views

Australia Australia
1
Japan Japan
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
1
United States United States
11
Unknown Country Unknown Country
34

Downloads

Japan Japan
1
Ukraine Ukraine
1
United States United States
1
Unknown Country Unknown Country
35

Files

File Size Format Downloads
Opanasiuk_zvit_2023.pdf 11.37 MB Adobe PDF 38

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.