Інтегральні біполярні транзистори: структура і температурна залежність параметрів

Abstract

Значну кількість аналогових і аналогово-цифрових схем реалізують на біполярних транзисторах (БТ), причому при визначенні конфігурації і параметрів схеми заміщення БТ використовують два підходи. Перший, полягає в тому, що БТ розглядається як прилад, яким керує напруга. У цьому випадку використовують такий параметр як крутість вхідної або передатної характеристики, який суттєво залежить від режиму по постійному струму. Другий підхід полягає в тому, що БТ розглядається як прилад, що керується струмом. Проте, застосування відомих схем заміщення у рамках моделі Еберса-Мола, призводе до результатів, що відрізняються від отриманих комп’ютерним моделюванням у рамках першого підходу. Крім того БТ мають широке практичне застосування, а саме використовуються в таких галузях як: автомобільна електроніка; енергоефективні системи; медична техніка; мережеве обладнання; аудіо- та відеоапаратура. Мета роботи полягала у вивченні конструктивно-технологічних особливостей біполярних транзисторів як компонентів електронних систем та моделювання їх параметрів, а також статичних і динамічних робочих характеристик з використанням віртуальних програм-симуляторів.