Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96006
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Комп’ютерне моделювання та застосування одновимірних польових транзисторів
Other Titles Computer simulation and usage of one-dimensional field-emitted transistors
Authors Олефіренко, В.В.
ORCID
Keywords нанодріт
польовий транзистор
комп’ютерна симуляція
електричні параметри
температурна стійкість
nanowire
field-effect transistor
computer simulation
electrical parameters
temperature stability
Type Bachelous Paper
Date of Issue 2024
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96006
Publisher Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету"
License Copyright not evaluated
Citation Олефіренко В. В. Комп'ютерне моделювання та застосування одновимірних польових транзисторів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024. 34 с.
Abstract Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал польових транзисторів із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію для наноелектроніки та їх можливості впливати на покращення продуктивності та функціональності електронних пристроїв. Мета роботи полягає у комп'ютерному моделюванні структури та характеристик польових транзисторів із каналом у вигляді нанодротів карбіду кремнію для вивчення їх температурних характеристик та потенціалу для електронних пристроїв. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення комп’ютерних моделей, які враховують особливості транспорту носіїв заряду в польових транзисторах із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію; - аналіз температурних залежностей робочих характеристик польових транзисторів із каналами у вигляді нанотдротів карбіду кремнію Для досягнення цієї мети були використані методи комп’ютерного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У роботі розглядаються технологічні виклики, пов'язані з виробництвом та інтеграцією нанодротів карбіду кремнію в електронні пристрої, а також можливі шляхи подолання цих викликів. Досліджується потенціал нанодротів карбіду кремнію для реалізації низькоенергетичних пристроїв, що можуть забезпечити покращену функціональність та ефективність.
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КФК)

Views

Belgium Belgium
1
China China
14
Ukraine Ukraine
2
United States United States
34
Unknown Country Unknown Country
56

Downloads

China China
15
United States United States
1

Files

File Size Format Downloads
Olefirenko_bac_rob.pdf 1.89 MB Adobe PDF 16

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.