Приладово-технологічне моделювання та застосування двовимірних польових транзисторів

Abstract

Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал використання двовимірних польових транзисторів в інтегральних мікросхемах, що обумовлено їх високою продуктивністю та енергоефективністю. Метою роботи є дослідження структури та параметрів двовимірних польових транзисторів та аналіз їх застосування в сучасних електронних пристроях. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - аналіз потенціалу застосування двовимірних польових транзисторів у різних галузях, таких як високошвидкісні процесори, енергоефективні схеми та сенсорні пристрої; - моделювання електричних характеристик двовимірних польових транзисторів із використанням сучасних програмних засобів та методів. При виконанні даної роботи використовувався метод приладово-технологічного моделювання. У результаті проведених досліджень було виконано приладово-технологічне моделювання польового транзистора із каналом у вигляді двовимірного матеріалу. За результатами комп’ютерної симуляції зроблено висновки про узгодженість з літературними даними отриманих результатів. Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є транспорт носіїв заряду та характеристики польових транзисторів як елементів інтегральних мікросхем. Предмет досліджень приладово-технологічне моделювання, принципи роботи, конструкційні особливості та застосування двовимірних польових транзисторів в електроніці.