Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96024
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Моделювання робочих характеристик фотоперетворювачів третього покоління |
Other Titles |
Working characteristics simulation of third-generation photo-converters |
Authors |
Новіков, М.С.
|
ORCID | |
Keywords |
третє покоління перовськит монокристал полікристал CIGS CdS ВАХ ККД квантова ефективність SCAPS 3307 Origin 2022 third generation perovskite single crystal polycrystal ccd quantum efficiency |
Type | Bachelous Paper |
Date of Issue | 2024 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96024 |
Publisher | Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету" |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Новіков М. С. Моделювання робочих характеристик фотоперетворювачів третього покоління : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. М. М. Іващенко. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024. 30 с. |
Abstract |
Мета дипломної роботи – моделювання робочих характеристик фотоперетворювачів третього покоління, дослідження і аналіз різних типів сонячних елементів, ознайомлення з їхніми перевагами та недоліками, розуміння їх можливого впливу на сучасну сонячну промисловість.
Обладнання, яке використовувалося під час виконання моделювання та аналізу робочих характеристик це – середовище для моделювання SCAPS, а також програмне забезпечення Origin 2022, яке використовувалося для побудови графіків з вихідних даних отриманих за допомогою попереднього ПЗ.
У роботі було розглянуто та проаналізовано різноманітні типи сонячних елементів, включаючи монокристалічні та полікристалічні сонячні елементи (СЕ), тонкоплівкові СЕ, на основі тонкої плівки CIGS, та перовскитові СЕ. Під час моделювання було зроблено акцент на СЕ, які використовують перовскитовий шар.
У ході проведених досліджень були визначені напруга холостого ходу Uхх, густина струму короткого замикання Jкз, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу η, залежно від його конструктивних особливостей (товщини віконного та поглинального шарів); ширини забороненої зони Eg, залежно від концентрації Ga та I у сполуці CIGS у співвідношенні Ga/(Ga+I) та робочої температури. Отримані графіки ВАХ, ККД та квантової ефективності сонячного елементу з максимальною ефективністю. |
Appears in Collections: |
Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КФК) |
Views
Belgium
1
China
17
India
16
South Korea
1
Ukraine
1
United States
59
Unknown Country
101
Downloads
China
18
Ukraine
1
United States
54
Unknown Country
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Novikov_bac_rob.pdf | 1.56 MB | Adobe PDF | 74 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.