Морфологічні особливості формування одномірних напівпровідникових структур

Abstract

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи бакалавра фізичні процеси фазоутворення, які відбуваються при формуванні одномірних напівпровідникових структур оксиду цинку . Мета роботи полягає у систематизації знань про фізичні особливості формування морфології поверхні одномірних напівпровідникових наноструктур, отриманих гідрохімічним методом на орієнтовані монокристалічні підкладки оксиду цинку в залежності від таких фізико-технологічних параметрів, як температура підкладки, на яку наносилися наноструктури та концентрації як домішки вольфраму, та і компоненту цинку.. При виконанні роботи використовувалися методи аналізу літературних джерел стосовно фізичних властивостей, методик одержання та дослідження напівпровідникових структур. У результаті проведених досліджень встановлено, що наноструктури оксиду цинку мають складний характери формування морфологічних структур, на що впливає як орієнтація росту даних структур, так і фізико-технологічні умови їх одержання.