Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96061
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Influence of Microsecond Pulse Helium Plasma Flow on the Surface Morphology and Crystal Structure of the Photovoltaic Converters Based on CdS/CdTe
Other Titles Вплив мікросекундного імпульсного гелієвого плазмового потоку на морфологію поверхні та кристалічну структуру фотоелектричних перетворювачів на основі CdS/CdTe
Authors Khrypunov, G.S.
Harchenko, M.M.
Meriuts, A.V.
Carlin, J.F.
Makhlai, V.A.
Herashchenko, S.S.
Abashin, S.L.
Surovitskiy, S.V.
Pudov, A.O.
Dobrozhan, A.I.
ORCID
Keywords фотоелектричні перетворювачі
тонка плівка
телурид кадмію
радіаційна стійкість
тверді розчини
photovoltaic converters
thin-film
cadmium telluride
radiation resistance
solid solutions
Type Article
Date of Issue 2024
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96061
Publisher Sumy State University
License Creative Commons Attribution 4.0 International License
Citation G.S. Khrypunov et al., J. Nano- Electron. Phys. 16 No 3, 03001 (2024) https://doi.org/10.21272/jnep.16(3).03001
Abstract Досліджено вплив імпульсного опромінення гелієвої плазми тривалістю 10 мкс і поверхневим енергетичним навантаженням 0,2 МДж м –2 на елементно-фазовий склад, морфологію поверхні та кристалічну структуру тонкоплівкових гетеросистем на основі CdS/CdTe. Шари сульфіду кадмію та теллуриду кадмію були нанесені шляхом конденсації за допомогою методу гарячої стінки на скляну підкладку, покриту шаром FTO. Встановлено, що після одного імпульсу конструкція приладу залишається в робочому стані. Збільшення дози опромінення призводить до розпилення поверхні, утворення наскрізних пор розміром 0,5 – 2 мкм і сітки мікротріщин з двома характерними лусочками. Одна сітка тріщин утворюється в скляній підкладці, а друга – з тріщинами в плівці CdTe. Показано, що теплова дія плазми стимулює дифузію сірки; внаслідок цього збільшується частка твердих розчинів CdTe1- xSx, що утворюються в процесі отримання гетеросистеми CdS/CdTe. Крім того, у цих твердих розчинах підвищується вміст сірки, що призводить до їх розкладання з виділенням фази твердого розчину CdS1- yTey. Ці тверді розчини мігрують до поверхні CdTe через тріщини і спостерігаються як окремі кристали.
The influence of pulsed helium plasma irradiation, with a 10 µs duration and a surface energy load of 0.2 MJ m – 2, on the elemental and phase composition, surface morphology and crystal structure of thin-film heterosystems based on CdS/CdTe was studied. The cadmium sulphide and cadmium telluride layers were deposited by condensation via a hot wall method onto a glass substrate covered with an FTO layer. It was found that after one pulse, the device structure remains in working condition. An increase in the irradiation dose leads to surface sputtering, the formation of through pores 0.5 – 2 µm in size, and a microcracks network with two characteristic scales. One crack network is formed in the glass substrate, and the second network is formed with cracks in the CdTe film. It is shown that the thermal effect of plasma stimulates the diffusion of sulphur; as a result, the proportion of CdTe1 – xSx solid solutions formed in the process of obtaining the CdS/CdTe heterosystem increases. In addition, the sulphur content increases in these solid solutions, which leads to their decomposition with the separation of the CdS1 – yTey solid solution phase. These solid solutions migrate to the CdTe surface through cracks and are observed as separate crystals.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

India India
1
Japan Japan
1
Ukraine Ukraine
21
United States United States
58
Unknown Country Unknown Country
102

Downloads

France France
6
India India
19
Ukraine Ukraine
22
United States United States
59
Unknown Country Unknown Country
16

Files

File Size Format Downloads
Khrypunov_jnep_3_2024.pdf 805.23 kB Adobe PDF 122

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.