Прогнозирование стойкости микросхем при их работе в напряженных токовых режимах

Грибский, М.П.; Старостенко, В.В.; Григорьев, Е.В.; Таран, Е.П.; Зуев, С.А.; Унжаков, Д.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9636

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Прогнозирование стойкости микросхем при их работе в напряженных токовых режимах
Authors	Грибский, М.П. Старостенко, В.В. Григорьев, Е.В. Таран, Е.П. Зуев, С.А. Унжаков, Д.А.
ORCID
Keywords
Type	Article
Date of Issue	2008
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9636
Publisher	Изд-во СумГУ
License
Citation	Грибский, М.П. Прогнозирование стойкости микросхем при их работе в напряженных токовых режимах [Текст] / М.П. Грибский, В.В. Старостенко, Е.В. Григорьев, Е.П. Таран, С.А. Зуев, Д.А. Унжаков // Вісник Сумського державного університету. Серія Фізика, математика, механіка. — 2008. — №2. — С. 185-190.
Abstract	В работе получены данные по стойкости микросхем при воздействии мощных импульсных электромагнитных полей, получены численные значения пороговых полей катастрофических отказов к рассматриваемому виду воздействия вплоть до микросхем с 30 нанометровой технологией и размерами кристаллов до 20*20мм. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9636
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)