Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96902
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Effective Minority Carrier Lifetime in Double-Layer Macroporous Silicon
Other Titles Ефективний час життя неосновних носіїв заряду в двошаровому макропористому кремнії
Authors Onyshchenko, V.F.
ORCID
Keywords ефективний час життя неосновних носіїв заряду
двошаровий макропористий кремній
макропористий кремній
effective minority carrier lifetime
double-layer macroporous silicon
macroporous silicon
Type Article
Date of Issue 2024
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96902
Publisher Sumy State University
License Creative Commons Attribution 4.0 International License
Citation V.F. Onyshchenko, J. Nano- Electron. Phys. 16 No 4, 04026 (2024) https://doi.org/10.21272/jnep.16(4).04026
Abstract Ефективний час життя неосновних носіїв заряду в двошаровому макропористому кремнії розраховано за аналітично виведеними рівняннями. Розв’язок рівняння дифузії неосновних носіїв заряду записується для монокристалічної підкладки та шарів макропористого кремнію. Гранична умова записується для поверхонь першого шару макропористого кремнію та монокристалічної підкладки. Система семи рівнянь аналітично зводиться до двох трансцендентних рівнянь, які використовуються для розрахунку ефективного часу життя неосновних носіїв заряду в двошаровому макропористому кремнії. Проаналізована залежність ефективного часу життя неосновних носіїв заряду в двошаровому макропористому кремнії від товщини макропористого кремнію та глибини макропор кожного шару макропористого кремнію. Ефективний час життя неосновних носіїв заряду в двошаровому макропористому кремнії залежить від об’ємного часу життя неосновних носіїв заряду, поверхневої рекомбінації, яка залежить від середнього діаметра макропор, середньої глибини макропор та середньої відстані між макропорами, та дифузії.
The effective minority carrier lifetime in double-layer macroporous silicon is calculated according to analytically derived equations. The solution of the diffusion equation of minority carriers is written for a monocrystalline substrate and layers of macroporous silicon. The boundary condition is written for the surfaces of the first layer of macroporous silicon and the monocrystalline substrate. The system of seven equations is analytically reduced to two transcendental equations, which are used to calculate the effective minority carrier lifetime in double-layer macroporous silicon. The dependence of the effective minority carrier lifetime in double-layer macroporous silicon on the thickness of macroporous silicon and the depth of macropores of each layer of macroporous silicon was analyzed. The effective minority carrier lifetime in double-layer macroporous silicon depends on bulk lifetime of minority carriers, surface recombination, which depends on the average macropore diameter, average macropore depth, and average distance between macropores, and diffusion.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Downloads

Files

File Size Format Downloads
Onyshchenko_jnep_4_2024.pdf 573.34 kB Adobe PDF 0

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.