Electrical and Photoresponse Properties of NiFe2O4/InSe Heterojunction

Ivanov, V.I.; Tkachuk, I.G.; Orletskii, I.G.; Kovalyuk, Z.D.; Tovarnitskii, M.V.; Kushnir, B.V.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96904

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Electrical and Photoresponse Properties of NiFe2O4/InSe Heterojunction
Other Titles	Електричні властивості та фотовідгук гетеропереходу NiFe2O4/InSe
Authors	Ivanov, V.I. Tkachuk, I.G. Orletskii, I.G. Kovalyuk, Z.D. Tovarnitskii, M.V. Kushnir, B.V.
ORCID
Keywords	селенід індію гетероструктури спрей-піроліз вольт-амперні характеристики фотовідгук indium selenide heterostructures spray pyrolysis I-V characteristics photoresponse
Type	Article
Date of Issue	2024
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96904
Publisher	Sumy State University
License	Creative Commons Attribution 4.0 International License
Citation	V.I. Ivanov et al., J. Nano- Electron. Phys. 16 No 4, 04028 (2024) https://doi.org/10.21272/jnep.16(4).04028
Abstract	Досліджені умови нанесення методом спрей-піролізу при температурі 623 К тонких напівпровідникових феритових плівок n-NiFe2O4 на підкладки з кристалічного шаруватого напівпровідника nInSe для створення фоточутливих гетероперехолів n-NiFe2O4/n-InSe. За температурною залежністю прямих і зворотних вольт-амперних характеристик встановлено механізми протікання струмів крізь гетероперехід. Проаналізована спектральна фоточутливість гетеропереходу n-NiFe2O4/n-InSe в діапазоні енергії 1.26÷3.2 еВ. The conditions of application thin semiconducting ferrite NiFe2O4 films on n-InSe crystalline layered semiconductor substrates at a temperature of 623 K by the spray-pyrolysis method for the creation of photosensitive n-NiFe2O4/n-InSe heterojunctions were studied. The mechanisms of current flow through the heterojunction were established based on the temperature dependence of forward and reverse I-V characteristics. The spectral photosensitivity of the n-NiFe2O4/n-InSe heterojunction in the energy range of 1.26÷3.2 eV was analyzed.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Downloads

Files

File	Size	Format	Downloads
Ivanov_jnep_4_2024.pdf	390.05 kB	Adobe PDF	0