Artificial Intelligence Analysis of Protein Compositions on Engineered Nanomaterials

Abstract

У статті проведений аналіз високої потужності нового типу технології, а саме транзистора без польового ефекту з оточеним канальним переходом (SCJLFET), який можна використовувати як силові напівпровідникові перемикачі в різних схемах силової електроніки. Транзистор без польового ефекту з переважно оточеним канальним переходом (SCJLFET) – це напівпровідниковий пристрій без переходу, де затвор розміщено всередині корпусу пристрою, іншими словами, затвор оточений областю каналу. Такий тип безпольового транзистора з оточеним канальним з’єднанням можна використовувати як силові напівпровідникові перемикачі в різних схемах силової електроніки. Транзистор без польового ефекту з оточеним канальним з’єднанням (SCJLFET) демонструє порівняно вищий коефіцієнт Ion/Ioff, нижчий підпороговий коливання та вищу порогову напругу з вищим DIBL, ніж звичайний JLFET, який можна легко використовувати в численних схемах силової електроніки. У цій статті представлено нову модель пристрою, як транзистор без польового ефекту з оточеним канальним переходом (SCJLFET) у формі силового MOSFET, який можна використовувати як силові напівпровідникові перемикачі в різних пристроях силової електроніки як у вимкненому, так і у включеному стані. стан стану при високій потужності, високій напрузі та великому струмі. JLFET з оточеним каналом показує більший струм порівняно зі звичайним JLFET завдяки збільшеній площі поперечного перерізу. Струм увімкнення та вимкнення нової структури були визначені для різних значень напруги стоку, товщини оксиду затвора, діелектричної проникності діелектрика затвора, концентрації легування та роботи виходу. Дослідження характеристик SCJLFET при високій потужності було представлено в цій статті. Характеристики високої потужності SCJLFET порівнюються з іншими звичайними транзисторами без переходів за допомогою візуального симулятора Cogenda TCAD 2D.

This paper reports the high power analysis of a new type of technology namely Surrounded channel junction less field effect transistor (SCJLFET) which can be used as power semiconductor switches in various power electronics circuits. Mainly surrounded channel junction less field effect transistor (SCJLFET) is a semiconductor device without junction where the gate is placed inside the body of the device or in other words the gate is surrounded by the channel region. Such type of surrounded channel junction less field effect transistor can be used as a power semiconductor switches in various power electronics circuit’s applications. Surrounded channel junction less field effect transistor (SCJLFET) exhibits comparatively higher Ion/Ioff ratio, lower sub threshold swing and higher threshold voltage with higher DIBL than a conventional JLFETwhich can be used easily in the numerous power electronics circuits. In this paper it is presented that a new device model as surrounded channel junction less field effect transistor (SCJLFET) has been introduced in the form of power MOSFET which can be used as power semiconductor switches in various power electronics devices in both off state and on state condition at high power, high voltage and high current. The surrounded channel JLFET show higher on current compared to conventional JLFET due to increased area of cross section. The on current and off current of the new structure have been determined for different values of drain voltages, gate oxide thickness, dielectric constant of gate dielectric, doping concentration and work function. The study of the characterization of SCJLFET at high power has been introduced in this paper. The high power characteristics of SCJLFET are compared with the other conventional junction less transistor using visual Cogenda TCAD 2D simulator.