Nickel Clusters in the Silicon Lattice

Abstract

Досліджено гетерні властивості кластерів нікелю в решітці кремнію. Досліджено гетеруючі властивості кластерів нікелю в різних станах, тобто у вихідних (еталонних) зразках, а також у зразках з додатково легованими домішковими атомами сірки та марганцю між вузлами та вузлами ґратки. Електрофізичні та фотоелектричні параметри досліджували за допомогою сучасної апаратури: інфрачервоного мікроскопа типу INFRAM-I, IKS-21 та скануючого електронного мікроскопа SEM (Oxford Instruments ZEISS EVOMA10), IKS-21. Також запропоновано нову технологію, що дозволяє отримувати шкідливі домішки; рекомендовано для широкого застосування в електронній промисловості та науково-дослідних інститутах для виробництва матеріалів зі стабільними параметрами та розробки принципово нових пристроїв.

The paper studies the gettering properties of nickel clusters in the silicon lattice. The gettering properties of nickel clusters were studied in various states, i.e., in original (reference) samples, as well as in samples with additionally doped interstitial and lattice site impurity atoms of sulfur and manganese. The electrophysical and photoelectric parameters were studied using modern instrumentation: INFRAM-I-type infrared microscope, IKS-21 and scanning electron microscope SEM (Oxford Instruments ZEISS EVOMA10), IKS-21. A new technology has also been proposed that makes it possible to getter harmful impurities; it is recommended for widespread use in the electronics industry and scientific research institutes for the production of materials with stable parameters and the development of fundamentally new devices.