Побудова зонної діаграми гетеропереходу n-ZnO/p-CuO

Єрмаков, Максим Сергійович; Абушаммала, А.Е.Н.; Опанасюк, Анатолій Сергійович

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99565

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Побудова зонної діаграми гетеропереходу n-ZnO/p-CuO
Authors	Yermakov, Maksym Serhiiovych Абушаммала, А.Е.Н. Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	гетероперехід n-ZnO/p-CuO напівпровідники оптоелектроніка n-ZnO/p-CuO heterojunction semiconductors optoelectronics
Type	Conference Papers
Date of Issue	2025
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99565
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Єрмаков М. С., Абушаммала А. Е. Н., Опанасюк А. Побудова зонної діаграми гетеропереходу n-ZnO/p-CuO // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, Суми, 21–25 квітня 2025 року / відп. за вип. Ю. Ю. Волк. Суми : Сумський державний університет, 2025. С. 114.
Abstract	Гетероперехід (ГП) n-ZnO/p-CuO є одним із перспективних об’єктів дослідження в сучасній електроніці та оптоелектроніці. Поєднання оксиду цинку (ZnO) з оксидом міді (CuO) утворює унікальну гетероструктуру з широкими можливостями для застосування у сонячних елементах, датчиках газу, фотодетекторах і транзисторах. ZnO є напівпровідником з прямою шириною забороненої зони близько 3,27 еВ, високою прозорістю у видимому діапазоні та гарними електронними характеристиками. CuO, у свою чергу, володіє шириною забороненої зони приблизно 1,65 еВ і хорошими поглинальними характеристиками. Гетероперехід n-ZnO/p-CuO має високу чутливість до світла та ефективне розділення носіїв заряду, що робить його перспективним для використання в електроніці.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Downloads

Files

File	Size	Format	Downloads
Yermakov_semiconductors.pdf	2.04 MB	Adobe PDF	0