Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39073
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx
Other Titles Особенности напряженного состояния германиевых нанокристаллов в матрице SiOx
Features of Stress State of Germanium Nanocrystals in SiOx Matrix
Authors Курилюк, В.В.
Коротченков, О.О.
Цибрій, З.Ф.
Ніколенко, А.С.
Стрельчук, В.В.
ORCID
Keywords Нанокристал
Квантова точка
Механічні напруження
Гетероструктура
Нанокристалл
Квантовая точка
Механические напряжения
Гетероструктура
Nanocrystal
Quantum dot
Mechanical stress
Heterostructure
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39073
Publisher Сумський державний університет
License
Citation В.В. Курилюк, О.А. Коротченков, З.Ф. Цибрий, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 1, 01029 (2015)
Abstract З використанням ІЧ Фур’є-спектроскопії, раманівського розсіювання та комп’ютерного моделювання досліджуються особливості механічних напружень в германієвих нанокристалах, синтезованих в аморфній матриці SiOx з буферним шаром SixNy. Встановлено, що германієві нанокристали зазнають суттєвих напружень стиснення величиною до 2.9 ГПа. Високі значення деформацій пояснюються частковим проникненням нанокристалів у кремнієву підкладку. Основним джерелом механічних напружень в цьому випадку слугує невідповідність решіток кремнію та германію.
С использованием ИК Фурье-спектроскопии, рамановского рассеивания и компьютерного моделирования исследуются особенности механических напряжений в германиевых нанокристаллах, синтезированных в аморфной матрице SiОx с буферным слоем SixNy. Установлено, что германиевые нано- кристаллы испытывают существенные напряжения сжатия величиной до 2.9 ГПа. Столь высокие значения деформаций объясняются частичным проникновением нанокристаллов в кремниевую подложку. Основным источником механических напряжений в этом случае является несоответствие решеток кремния и германия.
Features of mechanical stress in germanium nanocrystals synthesised in amorphous SiОx matrix with SixNy buffer layer were studied by means of Fourier transform infrared absorption spectroscopy, Raman scattering and computer modeling. It was found that the germanium nanocrystals are under significant compressive stress with a magnitude of up to 2.9 GPa. Such a high strain value can be explained by a partial penetration of the nanocrystals in the silicon substrate. In this case the principal source of mechanical stress is the lattice mismatch between silicon and germanium.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Bulgaria Bulgaria
3
Canada Canada
1
China China
20
France France
2
Germany Germany
63
Greece Greece
8806
Hungary Hungary
1
Ireland Ireland
66716
Lithuania Lithuania
1
Romania Romania
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
2145254
United Kingdom United Kingdom
1075562
United States United States
761517
Unknown Country Unknown Country
2145253

Downloads

Bulgaria Bulgaria
2
China China
12
France France
3
Germany Germany
2
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Poland Poland
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
6203202
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
6203202
Unknown Country Unknown Country
7

Files

File Size Format Downloads
Kurilyuk.pdf 489,32 kB Adobe PDF 12406435

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.