Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42975
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛуньов, С.В.-
dc.date.accessioned2015-11-30T14:25:03Z-
dc.date.available2015-11-30T14:25:03Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationС.В. Луньов, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03029 (2015)ru_RU
dc.identifier.urihttp://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42975-
dc.description.abstractДосліджено розсіяння електронів в (L1 – ∆1) моделі зони провідності монокристалів n-Ge, утвореної одновісним тиском вздовж кристалографічного напрямку [100]. Одержані експериментальні результати та проведені теоретичні розрахунки температурних залежностей питомого опору для одновісно деформованих монокристалів n-Ge показують, що для діапазону одновісних тисків від 1,4 до 2,3 ГПа суттєвим стає нееквівалентне міждолинне розсіяння електронів між L1 та Δ1 мінімумами, відносний вклад якого залежить від величини одновісного тиску. Наявність максимуму для залежностей сталої Холла від одновісного тиску при P ~ 2,1 ГПа, коли енергетична щілина між L1 та Δ1 “захлопується”, пояснюється найбільшою ефективність даного механізму розсіяння при таких тисках.ru_RU
dc.description.abstractИсследовано рассеяние электронов в (L1-Δ1) модели зоны проводимости монокристаллов n-Ge, образованной одноосным давлением вдоль кристаллографического направления [100]. Полученные экспериментальные результаты и проведенные теоретические расчеты температурных зависимостей удельного сопротивления для одноосно деформированных монокристаллов n-Ge показывают, что для диапазона одноосных давлений от 1,4 до 2,3 ГПа существенным становится неэквивалентное междолинное рассеяния электронов между L1 и Δ1 минимумами, относительный вклад которого зависит от величины одноосного давления. Наличие максимума для зависимостей постоянной Холла от одноосного давления для P ~ 2,1 ГПа, когда энергетическая щель между L1 и Δ1 “захлопывается”, объясняется наибольшей эффективностью данного механизма рассеяния при таких давлениях.ru_RU
dc.description.abstractThe electron scattering in the (L1 – Δ1) model of the conduction band of n-Ge single crystals formed by uniaxial pressure along the crystallographic direction [100] has been investigated. Obtained experimental results and performed theoretical calculations show that nonequivalent intervalley electron scattering bet-ween L1 and Δ1 minima becomes significant for the range of uniaxial pressures from 1.4 to 2.3 GPa and the relative contribution of this scattering depends on the magnitude of the uniaxial pressure. The presence of the maximum for the dependences of the Hall coefficient on the uniaxial pressure for P ~ 2.1 GPa, when the energy gap between L1 and Δ1 “is closed”, is explained by greatest efficiency of the given scattering mechanism for such pressures.ru_RU
dc.language.isoukru_RU
dc.publisherСумський державний університетru_RU
dc.subjectОдновісна деформаціяru_RU
dc.subjectЕквівалентне та нееквівалентне міждолинне розсіянняru_RU
dc.subjectМонокристали n-Geru_RU
dc.subjectСтала Холлаru_RU
dc.subjectОдноосная деформацияru_RU
dc.subjectЭквивалентное и неэквивалентное междолинное рассеянияru_RU
dc.subjectМонокристаллы n-Geru_RU
dc.subjectL1 и Δ1 минимумыru_RU
dc.subjectПостоянная Холла.ru_RU
dc.subjectL1 та Δ1 мінімумиru_RU
dc.subjectUniaxial deformationru_RU
dc.subjectEquivalent and nonequivalent intervalley scatteringru_RU
dc.subjectn-Ge single crystalsru_RU
dc.subjectL1 and Δ1 minimaru_RU
dc.subjectHall coefficientru_RU
dc.titleРозсіювання електронів для одновісно деформованих монокристалів n-Geru_RU
dc.title.alternativeРассеяния электронов для одноосно деформированных монокристаллов n-Geru_RU
dc.title.alternativeElectron Scattering for Uniaxially Deformed n-Ge Single Crystalsru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:Наукові видання (ЕлІТ)

Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Luniov.pdf381.23 kBAdobe PDF27Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.