Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики
Other Titles Особенности воздействия X-излучения и магнитного поля на электрофизические харак- теристики барьерных структур на основе дислокационного p-Si, предназначенного для солнечной энергетики
Authors Слободзян, Д.П.
Павлик, Б.В.
Кушлик, М.О.
Keywords кремній
кремний
silicon
поверхнево-бар’єрна структура
поверхностно-барьерная структура
surface-barrier structures
Х-випромінювання
Х-излучения
X-rays
магнітне поле
магнитное поле
magnetic field
дислокації
дислокации
dislocations
вольт-амперна характеристика
вольт-амперная характеристика
I-V characteristics
вольт-фарадна характеристика
вольт-фарадная характеристика
C-V characteristics
поверхневі стани
поверхностные состояния
surface states
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268
Publisher Сумський державний університет
Citation Слободзян, Д.П. Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики [Текст] / Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик // Журнал нано- та електронної фізики. — 2015. — Т.7, №4. — 04051-1.
Abstract У роботі описано вплив малих доз Х-випромінювання (D < 400 Гр) та слабкого магнітного поля (B  0,17 Тл) на зміну вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик поверхнево-бар’єрних стру-ктур Bi-Si-Al на основі кристалів p-Si з концентрацією дислокацій  102 см – 2 в приповерхневому шарі кремнію. Досліджено та проаналізовано процес накопичення заряду в діелектричному шарі SiO2 таких структур за дії зовнішніх полів.
В работе описывается влияние малых доз Х-излучения (D < 400 Гр) и слабого магнитного поля (B  0,17 Тл) на смену вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al на основе кристаллов p-Si с концентрацией дислокаций  102 см – 2 в приповерхностном слое кремния. Исследован и проанализирован процесс накопления заряда в диэлектрическом слое SiO2 таких структур под воздействием внешних полей.
This paper reviews the influence of low doses X-rays (D < 400 Gy) and weak magnetic field (B  0.17 T) on the I-V and C-V characteristics changes of surface-barrier Bi-Si-Al structures based on p-Si crystals with dislocation concentration  102 cm – 2 in the surface layer of silicon. The charge accumulation in the SiO2 dielectric layer of the structures under the action of external fields was investigated and analyzed.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
Czech Republic Czech Republic
1
France France
2
Germany Germany
4
Italy Italy
1
Japan Japan
1
Poland Poland
1
Singapore Singapore
50
Ukraine Ukraine
21
Unknown Country Unknown Country
16

Downloads

China China
2
France France
1
Germany Germany
2
Italy Italy
2
Russia Russia
2
Ukraine Ukraine
29
United States United States
2
Unknown Country Unknown Country
10

Files

File Size Format Downloads
Slobodzyan_Features of Influence of X-radiation_.pdf 442,23 kB Adobe PDF 50

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.