Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268
Title: Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики
Other Titles: Особенности воздействия X-излучения и магнитного поля на электрофизические харак- теристики барьерных структур на основе дислокационного p-Si, предназначенного для солнечной энергетики
Features of Influence of X-radiation and Magnetic Field on the Electrical Characteristics of Barrier Structures Based on p-Si with Dislocation, Designed for Solar Energy
Authors: Слободзян, Д.П.
Павлик, Б.В.
Кушлик, М.О.
Keywords: кремній
кремний
silicon
поверхнево-бар’єрна структура
поверхностно-барьерная структура
surface-barrier structures
Х-випромінювання
Х-излучения
X-rays
магнітне поле
магнитное поле
magnetic field
дислокації
дислокации
dislocations
вольт-амперна характеристика
вольт-амперная характеристика
I-V characteristics
вольт-фарадна характеристика
вольт-фарадная характеристика
C-V characteristics
поверхневі стани
поверхностные состояния
surface states
Issue Year: 2015
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Слободзян, Д.П. Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики [Текст] / Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик // Журнал нано- та електронної фізики. — 2015. — Т.7, №4. — 04051-1.
Abstract: У роботі описано вплив малих доз Х-випромінювання (D < 400 Гр) та слабкого магнітного поля (B  0,17 Тл) на зміну вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик поверхнево-бар’єрних стру-ктур Bi-Si-Al на основі кристалів p-Si з концентрацією дислокацій  102 см – 2 в приповерхневому шарі кремнію. Досліджено та проаналізовано процес накопичення заряду в діелектричному шарі SiO2 таких структур за дії зовнішніх полів.
В работе описывается влияние малых доз Х-излучения (D < 400 Гр) и слабого магнитного поля (B  0,17 Тл) на смену вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al на основе кристаллов p-Si с концентрацией дислокаций  102 см – 2 в приповерхностном слое кремния. Исследован и проанализирован процесс накопления заряда в диэлектрическом слое SiO2 таких структур под воздействием внешних полей.
This paper reviews the influence of low doses X-rays (D < 400 Gy) and weak magnetic field (B  0.17 T) on the I-V and C-V characteristics changes of surface-barrier Bi-Si-Al structures based on p-Si crystals with dislocation concentration  102 cm – 2 in the surface layer of silicon. The charge accumulation in the SiO2 dielectric layer of the structures under the action of external fields was investigated and analyzed.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other13
Canada1
Czech Republic1
Germany4
France2
Italy1
Japan1
Poland1
Ukraine21
Downloads
Other10
China2
Germany2
France1
Italy2
Russia2
Ukraine29
United States2


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Slobodzyan_Features of Influence of X-radiation_.pdf442.23 kBAdobe PDF50Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.