Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики

Abstract

У роботі описано вплив малих доз Х-випромінювання (D < 400 Гр) та слабкого магнітного поля (B  0,17 Тл) на зміну вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик поверхнево-бар’єрних стру-ктур Bi-Si-Al на основі кристалів p-Si з концентрацією дислокацій  102 см – 2 в приповерхневому шарі кремнію. Досліджено та проаналізовано процес накопичення заряду в діелектричному шарі SiO2 таких структур за дії зовнішніх полів.

В работе описывается влияние малых доз Х-излучения (D < 400 Гр) и слабого магнитного поля (B  0,17 Тл) на смену вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al на основе кристаллов p-Si с концентрацией дислокаций  102 см – 2 в приповерхностном слое кремния. Исследован и проанализирован процесс накопления заряда в диэлектрическом слое SiO2 таких структур под воздействием внешних полей.

This paper reviews the influence of low doses X-rays (D < 400 Gy) and weak magnetic field (B  0.17 T) on the I-V and C-V characteristics changes of surface-barrier Bi-Si-Al structures based on p-Si crystals with dislocation concentration  102 cm – 2 in the surface layer of silicon. The charge accumulation in the SiO2 dielectric layer of the structures under the action of external fields was investigated and analyzed.