Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48006
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Численное исследование воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на параметры МДП-приборов
Authors Заяц, Г.М.
Комаров, А.Ф.
Комаров, Ф.Ф.
Keywords чисельні методи
численные методы
іонізуюче випромінювання
ионизированное излучение
Type Conference Papers
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48006
Publisher Сумский государственный университет
License
Citation Заяц, Г.М. Численное исследование воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на параметры МДП-приборов [Текст] / Г.М. Заяц, А.Ф. Комаров, Ф.Ф. Комаров // Інформатика, математика, автоматика : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2016. - С. 254.
Abstract Для МДП-структуры с двумя типами ловушечных уровней, учитывающими наличие дефектов в окисле и радиационно-индуцированные поверхностные состояния, строится физико-математическая модель процессов накопления индуцированного ионизирующей радиацией заряда в диэлектрике и на границе раздела SiO2/Si МДП-структуры при облучении ее гамма-квантами.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
China China
3
Colombia Colombia
1
Germany Germany
3
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
381
Ukraine Ukraine
172
United Kingdom United Kingdom
1522
United States United States
191
Unknown Country Unknown Country
7

Downloads

Belarus Belarus
1
China China
1
Germany Germany
3
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
Ukraine Ukraine
173
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
382
Unknown Country Unknown Country
2

Files

File Size Format Downloads
Komarov.pdf 452,12 kB Adobe PDF 564

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.