Численное исследование воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на параметры МДП-приборов

Заяц, Г.М.; Комаров, А.Ф.; Комаров, Ф.Ф.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48006

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Численное исследование воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на параметры МДП-приборов
Authors	Заяц, Г.М. Комаров, А.Ф. Комаров, Ф.Ф.
Keywords	чисельні методи численные методы іонізуюче випромінювання ионизированное излучение
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48006
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Заяц, Г.М. Численное исследование воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на параметры МДП-приборов [Текст] / Г.М. Заяц, А.Ф. Комаров, Ф.Ф. Комаров // Інформатика, математика, автоматика : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2016. - С. 254.
Abstract	Для МДП-структуры с двумя типами ловушечных уровней, учитывающими наличие дефектов в окисле и радиационно-индуцированные поверхностные состояния, строится физико-математическая модель процессов накопления индуцированного ионизирующей радиацией заряда в диэлектрике и на границе раздела SiO2/Si МДП-структуры при облучении ее гамма-квантами.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)