Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48766
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title The Spectrum of Transverse Acoustic Phonons in Planar Multilayer Semiconductor Nanostructures
Other Titles Спектр поперечних акустичних фононів у плоских багатошарових напівпровідникових наноструктурах
Спектр поперечных акустических фононов в плоских многослойных полупроводниковых наноструктурах
Authors Boyko, I.V.
Gryschuk, A.M.
Keywords Quantum cascade laser
Quantum cascade detector
Resonant tunnel structure
Acoustic phonons
Transfer matrix
Квантовий каскадний лазер
Квантовий каскадний детектор
Резонансно-тунельна структура
Акустичні фонони
Трансфер-матриця
Квантовый каскадный лазер
Квантовый каскадный детектор
Резонансно- туннельная структура
Акустические фононы
Трансфер-матрица
Type Article
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48766
Publisher Sumy State University
License
Citation I.V. Boyko, A.M. Gryschuk, J. Nano- Electron. Phys. 8 No 4(1), 04001 (2016)
Abstract У моделі пружного континууму розвинена теорія енергетичного спектру поперечних акустичних фононів, що виникають у плоских напівпровідникових наноструктурах. Для досліджуваної резонансно-тунельної структури, що може виконувати роль активного елемента квантового каскадного лазера чи детектора, розраховано спектр акустичних фононних мод. Встановлено залежності спектру акустичних фононів від геометричних параметрів досліджуваної наноструктури. Розвинена теорія може бути використана для подальшого теоретичного дослідження процесів взаємодії електронів з акустичними фононами у багатошарових наноструктурах.
В модели упругого континуума развита теория энергетического спектра поперечных акустических фононов, возникающих в плоских полупроводниковых наноструктурах. Для исследуемой резонансно-туннельной структуры, которая может выполнять роль активного элемента квантового каскадного лазера или детектора, рассчитан спектр акустических фононных мод. Установлены зависимости спектра акустических фононов от геометрических параметров исследуемой наноструктуры. Развитая теория может быть использована для дальнейшего теоретического исследования процессов взаимодействия электронов с акустическими фононами в многослойных наноструктурах.
Based on the elastic continuum model, the theory of displacement of acoustic phonons spectra, arising in flat semiconductor nanostructures, was developed. For the studied resonant tunneling structure, which can be an active element of a quantum cascade laser or detector, the spectrum of acoustic phonons modes has been calculated. The dependences of the acoustic phonon spectrum from geometric parameters of studied nanostructure were set. The results obtained in the paper can be used to further theoretical studies of the electrons interaction with the transverse acoustic phonons in multilayer semiconductor nanosystems.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
1
France France
2
Germany Germany
3
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
2231
Ukraine Ukraine
852
United Kingdom United Kingdom
8921
United States United States
13381
Unknown Country Unknown Country
39

Downloads

Chile Chile
1
China China
1
Germany Germany
3
Ukraine Ukraine
373
United Kingdom United Kingdom
8922
United States United States
25435
Unknown Country Unknown Country
56

Files

File Size Format Downloads
Boiko_Hryshchuk.pdf 361,37 kB Adobe PDF 34791

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.