Фото-електричні властивості кремнієвих структур із нанокомпозитним епоксидно-полімерним шаром

Abstract

У роботi методами поверхневої фото-е.р.с., FTIR- спектроскопiї та вимірюванням частотних залежностей діелектричної проникності проведено дослідження структури типу "кремнієва підкладка/нанокомпозитний епоксидно-полімерний шар". Виявлено, що нанесення на кремнієву підкладку нанокомпозитної плівки на основі епоксидної смоли з порошком SiO2 зумовлює зменшення амплітуди фото-е.р.с з одночасним сповільненням її релаксації. Отримані дані пояснюються в припущенні, що взаємодія карбонільних і гідроксильних груп зв’язувача з активними центрами наповерхні частинок SiO2 і встановлення SiO та SiN зв’язків на поверхні кремнію змінює умови рекомбінації носіїв заряду та вигин зон в приповерхневому шарі Si.

работе методами поверхностной фото-эдс, FTIR- спектроскопии и измерением частотных зависимости диэлектрической проницаемости проведено исследование структуры типа "кремниевая подкладка / нанокомпозитный эпоксидно-полимерный слой». Обнаружено, что нанесение на кремниевую подложку нанокомпозитных пленок на основе эпоксидной смолы с порошком SiO2 приводит к уменьшению амплитуды фото-э.д.с с одновременным замедлением ее релаксации. Полученные данные объясняются в предположении, что взаимодействие карбонильных и гидроксильных групп связующим с активными центрами поверхности частиц SiO2 и установления SiO и SiN связей на поверхникремнию меняет условия рекомбинации носителей заряда и изгиб зон в приповерхностном слое Si.