Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68694
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Особливості впливу невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання на фотоелектричні та спектральні характеристики структур власний оксид-ІnSe
Other Titles Особенности влияния небольших доз высокоэнергетического гамма-излучения на фото- электрические и спектральные характеристики структур собственный оксид-InSe
Authors Сидор, О.М.
Сидор, О.А.
Ковалюк, З.Д.
Keywords шаруватий напівпровідник
селенід індію
гамма-випромінювання
термічне окислення
власний оксид
гетероструктура
фотовідгук
слоистый полупроводник
селенид индия
гамма-излучение
термическое окисление
собственный окисел
фотоответ
layered semiconductor
indium selenide
gamma-irradiation
thermal oxidation
intrinsic oxide
heterojunction
photoresponce
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68694
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Сидор, О.М. Особливості впливу невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання на фотоелектричні та спектральні характеристики структур власний оксид-ІnSe [Текст] / О.М. Сидор, О.А. Сидор, З.Д. Ковалюк // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т. 10, № 2. - 02023. - DOI: 10.21272/jnep.10(2).02023.
Abstract У роботі досліджено вплив малих доз (D ≤ 140 Гр) гальмівних гамма-квантів (Ееф = 3 МеВ) у діапазоні флюенсів 1012-1013 см – 2 на фотоелектричні та спектральні параметри двох типів гетероструктур (ГС) власний оксид-р-ІnSe, сформованих короткочасним (1 година) та довготривалим (96 годин) термічним окисленням. Спектри фотовідгуку ᶯ(hᵥ) не показали суттєвих змін форми чи енергетичного положення з опроміненням. Спостерігалися тільки позитивний ріст абсолютних значень фотоструму та поява екситонного максимуму при кімнатній темепературі. Показано, що оба типи ГС продемонстрували тенденцію до покращення параметрів. Так, зросла крутизна довгохвильової границі спектрів фотовідгуку, збільшились монохроматичні ампер-ватні SI та вольт-ватні SU чутливості, напруга холостого ходу Uхх та струм короткого замикання Jкз. Вплив радіації проявляється в появі простих точкових дефектів вакансійної природи та їх взаємодії з дефектною структурою шаруватого напівпровідника при мінімальному впливі на плівку його власного оксиду.
В работе исследовано влияние малых доз (D ≤ 140 Гр) тормозных гамма-квантов (Еэфф = 3 МэВ) в диапазоне флюенсов 1012-1013 см – 2 на фотоэлектрические и спектральные параметры двух типов гетероструктур (ГС) собственный оксид-р-ІnSe, сформированных кратковременным (1 час) и длительным (96 часов) термическим окислением. Спектры фотоответа ᶯ(hᵥ) не показали существенных изменений формы или энергетического положения с облучением. Наблюдались только положительный рост абсолютных значений фототока и появление экситонного максимума при комнатной температуре. Показано, что оба типа ГС продемонстрировали тенденцию к улучшению параметров. Так, выросла крутизна длинноволновой границы спектров фотоответа, увеличились монохроматические амперваттные SI и вольт-ваттные SU чувствительности, напряжение холостого хода Uхх и ток короткого замыкания Jкз. Влияние радиации проявляется в появлении простых точечных дефектов вакансионной природы и их взаимодействии с дефектной структурой слоистого полупроводника при минимальном воздействии на пленку его собственного оксида.
In this article, the influence of small doses (D ≤ 140 Gy) of bremsstrahlung gamma-quanta (Eeff = 3 МеV) with the fluences 1012-1013 cm – 2 on photoelectric and spectral parameters of two types of intrinsic oxide-InSe heterostructures (HSs) obtained after the short-term (60 min) and long-term (96 h) oxidation are studied. The photoresponce spectra ᶯ(hᵥ) did not show essential changes of the shape or the energy position with irradiation. Only positive increase of the absolute values of photocurrent and the appearance of the exciton maximum at room temperature were observed. It was shown that the both types of the HSs demonstrated a tendency to improving their parameters. Thus, the slope of the long-wave edge of the photoresponce spectra was increased, current SI and voltage SU monochromatic sensitivities and open circuit voltage Uoc, short-circuit current Jsc were increased too. The effect of irradiation results in the appearance of simple point defects of vacancy nature, their interaction with the defect structure of the layered semiconductor at minimum effecting gamma-quanta on the intrinsic oxide of the layered crystal.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Germany Germany
1
Ukraine Ukraine
60
Unknown Country Unknown Country
12

Downloads

Ukraine Ukraine
61
Unknown Country Unknown Country
9

Files

File Size Format Downloads
Sydor_features.pdf 551,41 kB Adobe PDF 70

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.