Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74395
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Electrical Characteristics of Au/n-GaN Schottky Junction with a High-k SrTiO3 Insulating Layer
Other Titles Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3
Authors Varra, Niteesh Reddy
Vivekananda, D.V.
Sai Krishna, G.
Sri Vivek, B.
Vimala, P.
ORCID
Keywords GaN n-типу
титанат стронцію
електричні властивості
MIS перехід
висота бар'єру
коефіцієнт ідеальності
механізм провідності струму
n-type GaN
strontium titanate
electrical properties
MIS junction
barrier height
ideality factor
current conduction mechanism
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74395
Publisher Sumy State University
License
Citation Electrical Characteristics of Au/n-GaN Schottky Junction with a High-k SrTiO3 Insulating Layer [Текст] = Електричні характеристики переходу Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3 / N.R. Varra, D.V. Vivekananda, Krishna G. Sai [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 4. - 04005. - DOI: 10.21272/jnep.11(4).04005.
Abstract Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN (SJ) вдосконалювалися з використанням ізолюючого шару високоміцного титанату стронцію (SrTiO3) в середині шарів Au і n-GaN. Розглянуто електричні властивості Au/n-GaN SJ та Au/SrTiO3/n-GaN метал/ізолятор/напівпровідник (MIS) переходу методами струм-напруга і ємність-напруга. MIS перехід показав вишуканий випрямляючий характер порівняно з SJ. Встановлено, що послідовний опір та опір шунту становлять 30 Ω, 4.69 x 106 Ω та 250 Ω, 2.12 x 109 Ω, відповідно, для SJ та MIS переходу. Розрахункова висота бар'єру і коефіцієнти ідеальності SJ і MIS переходу становили 0.67 еВ, 1.44 і 0.83 еВ, 1.78, відповідно. Більше значення висоти бар’єру було досягнуто для MIS переходу у порівнянні з SJ, що свідчить про те, що висота бар’єру ефективно змінювалася за допомогою шару SrTiO3. Крім того, коефіцієнт ідеальності, висота бар’єру і послідовний опір SJ і MIS переходу оцінювалися за допомогою функції Ченга і порівнювалися між собою. Спостереження показують омічну поведінку в областях з низькою напругою і провідність, обмежену об'ємним зарядом, в областях з вищою напругою у прямому зсуві I-V характеристики для SJ і MIS переходу. Крім того, досліджено механізм провідності зворотного струму витоку SJ і MIS переходу.
The electrical characteristics of Au/n-GaN Schottky junction (SJ) were improved by a place of high-k strontium titanate (SrTiO3) insulating layer in the middle of Au and n-GaN. The electrical properties of Au/n-GaN SJ and Au/SrTiO3/n-GaN metal/insulator/semiconductor (MIS) junction were explored by current-voltage and capacitance-voltage techniques. The MIS junction displayed an exquisite rectifying nature as compared to the SJ. The series resistance (RS) and shunt resistance (RSh) were found to be 30 Ω, 4.69 x 106 Ω and 250 Ω, 2.12 x 109 Ω for the SJ and MIS junction, respectively. The estimated barrier height (BH) and ideality factors of SJ and MIS junction were 0.67 eV, 1.44 and 0.83 eV, 1.78, respectively. Higher BH was achieved for the MIS junction than the SJ junction, suggesting the BH was effectually changed by the SrTiO3 layer. Also, the ideality factor, BH and series resistance of the SJ and MIS junction were estimated by employing the Cheung’s function and compared each other. Observations reveal the ohmic behavior at lower voltage regions and space-charge-limited conduction at higher voltage regions in the forward bias I-V characteristic of the SJ and MIS junctions. Also, the reverse leakage current conduction mechanism of SJ and MIS junctions was explored.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
Czechia Czechia
1
Germany Germany
1
Greece Greece
3922
India India
1
Ireland Ireland
479161
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
170500
Malaysia Malaysia
1
Mongolia Mongolia
1
Singapore Singapore
103911427
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
61849169
United Kingdom United Kingdom
1830923
United States United States
35913937
Unknown Country Unknown Country
3659885
Vietnam Vietnam
3920

Downloads

Ireland Ireland
42630
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
9978705
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
9978705
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
61849169
Unknown Country Unknown Country
9
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Varra_Niteesh_Reddy_jnep_4_2019.pdf 639.15 kB Adobe PDF 81849224

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.