Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74448
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title BSIM3v3 Characterization and Simulation of MOS Si1 – xGex Transistors with 130 nm Submicron Technology
Other Titles BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією
Authors Hebali, M.
Bennaoum, M.
Benzohra, M.
Chalabi, D.
Saïdane, A.
ORCID
Keywords Si1 – xGex
BSIM3v3
130 нм технологія
I-V характеристика
температура
130 nm technology
I-V characterization
temperature
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74448
Publisher Sumy State University
License
Citation BSIM3v3 Characterization and Simulation of MOS Si1 – xGex Transistors with 130 nm Submicron Technology [Текст] = BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією / M. Hebali, M. Bennaoum, Benzohra [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 4. - 04021. - DOI: 10.21272/jnep.11(4).04021.
Abstract Перспективи та доцільність роботи представлені для транзисторів MOSi1 – xGex змодельованих за 130 нм субмікронною технологією. Модель BSIM3v3 використовувалася для аналізу роботи транзисторів відповідно до вивчення впливу фракції x германію (з x = 0 до x = 1) на електричні характеристики цих транзисторів з урахуванням впливу температури. PSpice параметри двох різних транзисторів NMOSi1 – xGex і PMOSi1 – xGex були розраховані і використані у моделюванні. Вихідні і перехідні електричні характеристики були визначені в інтервалі температур від – 200 до 200 °С. Субпороговий режим також розглядався шляхом обчислення струмів ION та IOFF як функції VGS для постійного VDD. Результати моделювання показують, що вищезгадані транзистори працюють належним чином у режимі з пороговою напругою близько 1.2 В. Вони можуть бути використані в мікроелектроніці низької напруги та малої потужності шляхом керування фракцією x германію.
A prospective of work and a feasibility study are undertaken on MOSi1 – xGex transistors with a 130 nm submicron technology. BSIM3v3 model has been used to analyze the transistors’ operation, according to the study of the effect of Germanium fraction x (x = 0 to x = 1) on electrical performance of these transistors taking into account the influence of temperature. PSpice parameters of two different transistors NMOS1 – xGex and PMOS1 – xGex have been calculated and used in the modeling. The output and transfer electrical characteristics have been determined in the temperature range – 200 to 200 °C. The regime subthreshold was also addressed by calculating ION and IOFF currents as a function of VGS for constant VDD. Simulation results show that the above transistors work properly in a regime under a threshold voltage of about 1.2 V. They can be used in low voltage and low power microelectronics by controlling the germanium x fraction.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
China China
13252275
Germany Germany
176978
Greece Greece
2133
India India
1
Iraq Iraq
13
Ireland Ireland
12529
Japan Japan
76099833
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
532
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
2048341
United Kingdom United Kingdom
353960
United States United States
168731425
Unknown Country Unknown Country
682864
Vietnam Vietnam
2131

Downloads

Algeria Algeria
168731426
India India
1
Ireland Ireland
1
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
2048342
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
168731425
Unknown Country Unknown Country
4
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Hebali_jnep_4_2019.pdf 535 kB Adobe PDF 339511204

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.