Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74448
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | BSIM3v3 Characterization and Simulation of MOS Si1 – xGex Transistors with 130 nm Submicron Technology |
Other Titles |
BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією |
Authors |
Hebali, M.
Bennaoum, M. Benzohra, M. Chalabi, D. Saïdane, A. |
ORCID | |
Keywords |
Si1 – xGex BSIM3v3 130 нм технологія I-V характеристика температура 130 nm technology I-V characterization temperature |
Type | Article |
Date of Issue | 2019 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74448 |
Publisher | Sumy State University |
License | |
Citation | BSIM3v3 Characterization and Simulation of MOS Si1 – xGex Transistors with 130 nm Submicron Technology [Текст] = BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією / M. Hebali, M. Bennaoum, Benzohra [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 4. - 04021. - DOI: 10.21272/jnep.11(4).04021. |
Abstract |
Перспективи та доцільність роботи представлені для транзисторів MOSi1 – xGex змодельованих за 130 нм субмікронною технологією. Модель BSIM3v3 використовувалася для аналізу роботи транзисторів відповідно до вивчення впливу фракції x германію (з x = 0 до x = 1) на електричні характеристики цих транзисторів з урахуванням впливу температури. PSpice параметри двох різних транзисторів NMOSi1 – xGex і PMOSi1 – xGex були розраховані і використані у моделюванні. Вихідні і перехідні електричні характеристики були визначені в інтервалі температур від – 200 до 200 °С. Субпороговий режим також розглядався шляхом обчислення струмів ION та IOFF як функції VGS для постійного VDD. Результати моделювання показують, що вищезгадані транзистори працюють належним чином у режимі з пороговою напругою близько 1.2 В. Вони можуть бути використані в мікроелектроніці низької напруги та малої потужності шляхом керування фракцією x германію. A prospective of work and a feasibility study are undertaken on MOSi1 – xGex transistors with a 130 nm submicron technology. BSIM3v3 model has been used to analyze the transistors’ operation, according to the study of the effect of Germanium fraction x (x = 0 to x = 1) on electrical performance of these transistors taking into account the influence of temperature. PSpice parameters of two different transistors NMOS1 – xGex and PMOS1 – xGex have been calculated and used in the modeling. The output and transfer electrical characteristics have been determined in the temperature range – 200 to 200 °C. The regime subthreshold was also addressed by calculating ION and IOFF currents as a function of VGS for constant VDD. Simulation results show that the above transistors work properly in a regime under a threshold voltage of about 1.2 V. They can be used in low voltage and low power microelectronics by controlling the germanium x fraction. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Argentina
1
China
13252275
Germany
176978
Greece
2133
India
1
Iraq
13
Ireland
12529
Japan
76099833
Lithuania
1
Netherlands
532
Sweden
1
Ukraine
2048341
United Kingdom
353960
United States
168731425
Unknown Country
682864
Vietnam
2131
Downloads
Algeria
168731426
India
1
Ireland
1
Japan
1
Lithuania
1
Sweden
1
Ukraine
2048342
United Kingdom
1
United States
168731425
Unknown Country
4
Vietnam
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Hebali_jnep_4_2019.pdf | 535 kB | Adobe PDF | 339511204 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.