Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Зависимость конфигурации пористого слоя фосфида индия от концентрации носителей заряда
Authors Сычикова, Я.А.
Кидалов, В.В.
Сукач, Г.А.
ORCID
Keywords пористый фосфид индия
легирование кристаллов
сегрегация
сегрегація
електрохімичний процес
наноструктури
segregation
nanostructure
electrochemical etching
Type Article
Date of Issue 2010
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215
Publisher Издательство СумГУ
License
Citation Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач, Ж. нано- электрон. физ. 2 №4, 75 (2010)
Abstract В данной работе представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие влияние уровня легирования фосфида индия на формирование пористого слоя на его поверхности во время электрохимического травления. Установлено, что наиболее качественные пористые слои формируются при использовании кристаллов с концентрацией свободных носителей заряда 2,3×10^18 см^(-3). Также представлены результаты наблюдений слоистой неоднородности InP, которая объяснена с точки зрения особенности технологического процесса выращивания сильнолегированных кристаллов. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215
У даній роботі представлені експериментальні результати, що демонструють вплив рівня легування фосфіду індію на формування поруватого шару на його поверхні під час електрохімічного травлення. Встановлено, що найбільш якісні поруваті шари формуються при використанні кристалів з концентрацією віль-них носіїв заряду 2,3×10^(18)см^(–3). Також представлені результати досліджень шаруватої неоднорідності InP, яка пояснена з точки зору особливості техно-логічного процесу вирощування сільнолегованих кристалів. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215
This paper presents experimental results demonstrating the influence of the doping level of InP on the porous layer formation on its surface during the electrochemical etching. It is established that the more high-quality porous layers are formed using the crystals with the free carrier concentration of 2,3×10^(18)cm^(–3). The observation results of InP layered heterogeneity are discussed and explained in terms of the features of the growing process of heavily doped crystals. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Belarus Belarus
2
China China
3
Germany Germany
170
Greece Greece
1
India India
2
Iran Iran
1
Ireland Ireland
153067
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Romania Romania
1
Russia Russia
33
Singapore Singapore
22638610
Sweden Sweden
29128
Turkey Turkey
8
Ukraine Ukraine
1399587
United Kingdom United Kingdom
707076
United States United States
18949940
Unknown Country Unknown Country
1399586

Downloads

China China
5
Germany Germany
169
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
10
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
4195270
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
22638609
Unknown Country Unknown Country
157

Files

File Size Format Downloads
10.pdf 1.17 MB Adobe PDF 26834223

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.