Вплив режиму охолодження розплаву на кінетику кристалізації чистих металів
No Thumbnail Available
Date
2017
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Сумський державний університет
Theses
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
Методами математичного моделювання вивчено вплив термічного режиму охолодження розплаву на кінетику кристалізації тонких шарів Ag, Al, Cu, Ge та Ni, що контактують з масивною підкладкою. Показано, що в залежності від товщини шару розплаву l1, кристалізація минає в різних термічних умовах, які чинять вплив і на кінцеву мікроструктуру фольг. Узагальненням результатів моделювання встановлено три різновиди режимів охолодження тонких шарів розплаву. Шари розплаву товщиною понад 4,69 мкм (для Ge), 1,33 мкм (для Ni), 0,075 мкм (для Ag) та 0,058 мкм (для Cu) тверднуть в умовах інтенсивного виділення прихованої теплоти кристалізації. Криві охолодження мають рекалесцентні ділянки.
Keywords
кристалізація, кристаллизация, crystallization, режим охолодження, режим охлаждения, cooling mode, чистий метал, чистый металл, pure metal
Citation
Козоріз, В.С. Вплив режиму охолодження розплаву на кінетику кристалізації чистих металів [Текст] / В.С. Козоріз, О.Л. Косинська // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 81.